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原子層制御量子ドットと面型超高速光信号再生デバイスへの応用

原子層制御量子ドットと面型超高速光信号再生デバイスへの応用
原子层控制量子点及其在平面超快光信号再生器件中的应用
批准号:
18656096
负责人:
和田 修
金额:
$2.18万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2007

项目摘要

项目成果

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英文摘要
光通信の大容量化の要求に伴って100Gb/s超の超高速化が必要となってくるものと考えられる。この際に光信号再生機能(増幅+波形整形2R,時間同期も含めた3R)は極めて重要となるが、簡単かつ実用的なものはまだ実現されてない。本研究では、我々独自の原子層制御量子ドットにより、単一の素子で超高速光信号再生機能を有する垂直構造光信号再生デバイスを目指して、研究を行った。本年度は、量子ドット成長法に関しては、単一ドットの透過電子顕微鏡測定(HAADF-STEM測定)を行って量子ドット構成原子構造の正確な観測に初めて成功し、ドット形状制御における多元パラメータ制御の重要性が確かめられた。また、量子ドットの光学的特性に関しては、多層化量子ドット構造における量子ドット間の電子状態の結合効果を発光特性測定によって検討し、スペーサ層の厚さ(10〜40nm)の制御によって発光波長、強度、減衰時間など光学特性制御が可能であることを明らかにした。さらに、半導体多層膜反射鏡構造と量子ドットを集積化した基礎的な光変調デバイス構造を作製して光学特性を評価して基本的な反射特性を確かめ、この構造が変調特性等の高度な特性の評価に適用可能であることが分った。これらの結果を総合的に考慮し、我々独自の多元制御量子ドットが面型光信号処理デバイスに適用できるものと考える。
期刊论文(10)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Bound Exciton States of Isoelectronic Centers in GaAs : N Grown by an Atomically Controlled Doping Technique
GaAs 中等电子中心的束缚激子态:通过原子控制掺杂技术生长的 N
DOI: --
发表时间: 2006
期刊: Phys. Rev B Vol. 74
影响因子: --
作者: [T.Kita, T.Inoue, O.Wada, M Konno, T.Yaguchi, T.Kamino, Y.Harada, T.Kita, H.Yanagi, T.Kita]
通讯作者: T.Kita
"Microwave Photonics,"( 第2章 )"Femtosecond All-Optical Devices for Ultrafast Communication and Signal Processing,"(pp. 31-76) (Chi H. Lee ed.)
“微波光子学”(第 2 章)“用于超快通信和信号处理的飞秒全光器件”(第 31-76 页)(Chi H. Lee 编辑)
DOI: --
发表时间: 2007
期刊:
影响因子: --
作者: [H. Nakatani, T. Kita, O. Kojima, O. Wada, K. Akahane, and M. Tsuchiya, H.Mizuno, N.Shimizu, T.Kita, T.Inoue, T.Kita, Osamu Wada, Osamu Wada]
通讯作者: Osamu Wada
Ultrafast optoelectronic devices using semiconductor nanostructure materials (Invited Paper)
使用半导体纳米结构材料的超快光电器件(特邀论文)
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [H. Nakatani, T. Kita, O. Kojima, O. Wada, K. Akahane, and M. Tsuchiya, H.Mizuno, N.Shimizu, T.Kita, T.Inoue, T.Kita, Osamu Wada]
通讯作者: Osamu Wada
Emission Wavelength Extension of Nitrided InAs/GaAs Quantum Dots with Different Sizes
不同尺寸氮化InAs/GaAs量子点的发射波长扩展
DOI: --
发表时间:
期刊: J.Crystal Growth (印刷中)
影响因子: --
作者: [佐古井智紀, 澤田章, 都築和代, 加藤信介, 大岡龍三, 朱晟偉, 佐古井 智紀, Y.Harada, T.Kita, T.Kita, T.Kita, Y.Harada, T.Kita, P.Jayavel, T.Kita, T.Kita, N.Shimizu, H.Mizuno]
通讯作者: H.Mizuno
Realization of integrated high sensitivity electric field sensor using quantum dot superlattice
  • 批准号:
    22K04218
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $2.66万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    和田 修
  • 依托单位:
Photoconductive devices based on quantum dot superlattice for THz generation and detection
  • 批准号:
    19K04532
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $2.83万
  • 财政年份:
    2019
  • 负责人:
    和田 修
  • 依托单位:
量子ドットのサブバンド間遷移に基づく超高速面型光ゲートデバイスの実現
  • 批准号:
    21656083
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额:
    $2.05万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    和田 修
  • 依托单位:
多元制御量子ドットを用いた超高速面型光スイッチの実現
  • 批准号:
    19023007
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $5.31万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    和田 修
  • 依托单位: