半導体基板上非平衡系自己組織化によるエピタキシャル酸化物薄膜の創成
半導体基板上非平衡系自己組織化によるエピタキシャル酸化物薄膜の創成
通过在半导体衬底上非平衡自组装创建外延氧化物薄膜
批准号：
19656170
负责人：
金子 智
金额：
$2.05万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
レーザ蒸着法・スパッター法のいずれにおいても、『無酸素状態での初期製膜』と『酸素導入による本製膜』をシリコン基板上に行った。酸化マグネシウム(MgO)に関しては、両製法においてMgO(001)単一配向性膜の成長を確認した。高基板温度・高酸素濃度においてエピタキシャル成長が確認されたが、それらの結晶は結晶格子定数が通常のバルクより小さいものであった。インプレーンX線回折による測定から、この結晶は基板垂直・面内方向のどちらにも収縮し、正方晶の結晶系であることを確認した。基板との格子不整合により格子が歪み、面内方向に格子が伸びることで、垂直方向に縮んでいるのではない。収縮したMgO格子サイズのMgOは高酸素濃度雰囲気という条件で作製されたことから、過剰酸素や欠損等が格子サイズに影響を与えていると考えられる。そこで、第一原理計算によるMgO格子サイズの安定性を調べた。酸素過剰・酸素欠損ともに格子サイズが増加するが、金属と酸素原子がペアで欠損する場合に、格子サイズが縮まることを確認した。
英文摘要
レーザ蒸着法・スパッター法のいずれにおいても、『無酸素状態での初期製膜』と『酸素導入による本製膜』をシリコン基板上に行った。酸化マグネシウム(MgO)に関しては、両製法においてMgO(001)単一配向性膜の成長を確認した。高基板温度・高酸素濃度においてエピタキシャル成長が確認されたが、それらの結晶は結晶格子定数が通常のバルクより小さいものであった。インプレーンX線回折による測定から、この結晶は基板垂直・面内方向のどちらにも収縮し、正方晶の結晶系であることを確認した。基板との格子不整合により格子が歪み、面内方向に格子が伸びることで、垂直方向に縮んでいるのではない。収縮したMgO格子サイズのMgOは高酸素濃度雰囲気という条件で作製されたことから、過剰酸素や欠損等が格子サイズに影響を与えていると考えられる。そこで、第一原理計算によるMgO格子サイズの安定性を調べた。酸素過剰・酸素欠損ともに格子サイズが増加するが、金属と酸素原子がペアで欠損する場合に、格子サイズが縮まることを確認した。
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Epitaxial Growth of Fe_3Si Thin Films on Si Substrate with MgO Buffer Layer
带MgO缓冲层的Si衬底上外延生长Fe_3Si薄膜
带MgO缓冲层的Si衬底上外延生长Fe_3Si薄膜
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Transactions of Materials Research Society of Japan 34
影响因子：
--
作者：
[秋山賢輔、金子智、門脇貞子、平林康男, 他]
通讯作者：
他
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 47
影响因子：
--
作者：
[金子智、秋山賢輔、伊藤健、平林康男、舟窪浩、吉本護, 他]
通讯作者：
他
Supercell Structure on Continuous Growth of Bi2Sr2Ca1Cu2Ox Film
Bi2Sr2Ca1Cu2Ox 薄膜连续生长的超晶胞结构
Bi2Sr2Ca1Cu2Ox 薄膜连续生长的超晶胞结构
DOI：
10.1143/jjap.47.5602
发表时间：
2008
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[S. Kaneko, K. Akiyama, T. Ito, Y. Hirabayashi, H. Funakubo, M. Yoshimoto]
通讯作者：
M. Yoshimoto
Single Domain Epitaxial Growth of Yttria-stabilized Zirconia on Si(111) Substrate
Si(111) 衬底上氧化钇稳定氧化锆的单畴外延生长
Si(111) 衬底上氧化钇稳定氧化锆的单畴外延生长
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Ceramics International 34
影响因子：
--
作者：
[金子智、秋山賢輔、伊藤健、平林康男、舟窪浩、吉本護, 他]
通讯作者：
他
Two Steps Growth of MgO Thin Film Prepared by Pulsed Laser Deposition
脉冲激光沉积制备MgO薄膜的两步生长
脉冲激光沉积制备MgO薄膜的两步生长
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[金子智, 秋山賢輔, 伊藤健, 安井学, 曽我雅康, 他]
通讯作者：
他
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