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金属ガラスの電気輸送現象と光学反射特性

金属玻璃的电传输现象和光学反射特性

基本信息

批准号：
19656176
负责人：
福原幹夫
金额：
$ 2.11万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2008
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19656176/
关键词：
金属ガラス 20面体クラスタープロトントンネリング量子ドットクーロンブロッケイド直流交流変換素子 3極整流素子半導体代替素子 4面体クラスター交流増幅電子素子電子ルール spdの混成軌道

项目摘要

「研究目的」[1]低温で得られた昨年度のNi-Zr-Nb-H系金属ガラスの直流誘起交流変換現象を水素との親和性の高いZr元素比を調整することにより常温でも起こさせることに成功し、IV特性の測定からもプロトントンネリングによる世界初の常温ミリサイズの量子ドット現象に基づく、直流/交流増幅・クーロンブロッケイド現象であることが確認された。更に抵抗RとキャパシタンスCを用いた実装回路を作り常温でのRC効果により、周波数の変調も900-100kHzで可能となり、従来の真空管や半導体と同様の現象を起こすことができた。電流制御法では電子雪崩現象も観察された。SPring8で1の構造解析と原子モデルシュミュレーションの結果、この系はZr_5Ni_5Nb_3の潰れた20面体クラスターに水素が固溶したものであることが判明し、このクラスターが3次元的にネット形成されていることが伺われ、ナノサイズの現象がミリサイズで生じていることが予想される。この金属ガラスは複素インピーダンスの測定の結果、幅1mmで厚さ40μmのリボン材中に幅0.13nmのトンネルを6800万個含有した68μFのキャパシタンスを持つ特異な合金であることも判明し、次世代の半導体の代替となる量子ドット素子への可能性を秘めた材料として期待が膨らみ始めている。目下、FETによる3極整流素子、蓄電・放電現象に着手し始めたところである。なお、水素量がより少ない系では超伝導やバリステック現象も観察され、新しい領域として発展する可能性がある。結果として、「萌芽研究」開始時の予想をはるかに超えた新型素子が実現できつつある。[2]金属ガラスの反射分光スペクトルは窓ガラスからの反射光や400nm以下の紫外領域でのD吸収線の出現が測定データを狂わせ、精密な計測に至っていない。しかし、ラマン分光の測定では、予測に反し、無機ガラスと比較してシャープなピークも現れており、短距離秩序相の変化に起因した新たな領域が生まれそうである。

[1] DC-induced AC transition phenomenon of Ni-Zr-Nb-H metal system at low temperature, adjustment of water element, affinity and Zr element ratio at high temperature, determination of IV characteristics, fundamental analysis of quantum transition phenomenon at room temperature and in the beginning of the world DC/AC Amplitude Increase/Decrease In addition, the RC effect at room temperature can be adjusted to 900-100kHz, which can be caused by the same phenomenon of vacuum tube and semiconductor. Current control method is used to detect electron avalanche phenomenon. The structural analysis of SPring8 and the atomic structure analysis of Zr_5Ni_5Nb_3 were carried out. The results showed that the solid solution of water in Zr_5Ni_5Nb_3 was formed in the three-dimensional structure. The results of the measurement of the metal oxide complex elements show that the metal oxide complex elements have a width of 1mm and a thickness of 40μm, and the metal oxide complex elements have a width of 0.13 nm and a thickness of 68 million. The metal oxide complex elements have a thickness of 68μF, and the metal oxide complex elements have a thickness of 68μF. Next, FET 3-pole rectifier, storage·Li Guo phenomenon began There is a possibility that the phenomenon of excess and excess water content will develop. As a result, when the "embryonic research" began, it was thought that the new element would be realized. [2]The appearance of absorption lines in the ultraviolet region below 400nm is measured by means of accurate measurement. The cause of the change in the short-distance order phase is the occurrence of new phenomena in the field of prediction, comparison and analysis.