真空蒸着による鎖状高分子の超薄膜の結晶化と分子配列制御
真空蒸着による鎖状高分子の超薄膜の結晶化と分子配列制御
批准号:
05452104
负责人:
馬来 国弼
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份:
1993
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1993 至 1994
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英文摘要
分子配列を制御する因子を明らかにするために,原子レベルで清浄な単結晶基板上でエピタキシャル成長する条件をと外して,凝縮する際の分子自身の自己組織化を制御する因子を解明することに取り組んだ。10^<-6>Torrの真空中で基板としてAg,Auの多結晶蒸着膜及びSiウエハー(30nm程度の厚さをもつ自然酸化で覆われている)を用いて,分子配列及び構造を赤外吸収強度の偏光特性から決定し,薄膜の成長因子(基板温度,蒸発分子フラックス,成長後の加熱温度など)をパラメータとして調べ,次に述べる結果を得た:ア.Ag,Au基板上では,【.encircled1.】beta型のフッカビニリデンと4フッカエチレン共重合体(VDF+TeFE)を蒸発させるとgamma型の構造を,alpha型のポリフッカビニリデン(PVDF)を成長させるとalpha型の構造の薄膜が成長した。【.encircled2.】一様な分子配列で分子鎖はあらゆる方向に向いて成長した。基板温度を上げると若干分子鎖が基板表面に平行に配向したが,成長後に加熱しても配向を変化させることはできなかった。【.encircled3.】Au基板上では,膜厚が20nm以下では重合が進まない。イ.Siウエハー上では,beta型の(VDF+TeFE)を蒸発してbeta型の構造を,alpha型のPVDFを蒸発してalpha型の薄膜が成長し,また分子鎖が基板に垂直に配向した。この結果から,分子鎖の配向や重合を制御するためには,酸化物表面が分子レベルで一つの役割を果たしていることが推定される。今後,酸化物表面の分子認識という観点から研究を進める必要がある。
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会议论文
水素ラジカルによって誘起される水素終端Si(111)表面及びSi原子層の構造変化
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批准号:07217217
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1995
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负责人:馬来 国弼
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依托单位:
メゾスコッピク構造形成過程におけるフリーラジカルのネットワーク化と構造緩和
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批准号:06228225
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:馬来 国弼
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依托单位:
メゾスコピック構造形成過程におけるフリーラジカルのネットワーク化と構造緩和
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批准号:05237227
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1993
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负责人:馬来 国弼
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依托单位:
エピタキシャル成長表面のモルフォロジーと成長機構
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批准号:04227224
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1992
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负责人:馬来 国弼
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依托单位:
真空蒸着膜の非晶特性, 結晶特性をきめている要因-特にSb, Se, Te, Ge膜の非晶質-結晶質転移に要する活性化エネルギーの決定-
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批准号:X00210----975026
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.2万
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财政年份:1974
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负责人:馬来 国弼
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依托单位:
アンチモン蒸着膜の成長の際にその結晶性と非晶性をきめている要因-特に電気的性質に影響する原因の究明
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批准号:X00210----875029
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.17万
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财政年份:1973
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负责人:馬来 国弼
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依托单位:
アンチモン蒸着膜の成長過程で, その結晶性と非晶性とに影響する要因
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批准号:X00210----775027
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.18万
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财政年份:1972
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负责人:馬来 国弼
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依托单位:
海外基金