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価数揺動物質に於るエネルギーギャップ発生起源の普遍的概念の確立

価数揺動物質に於るエネルギーギャップ発生起源の普遍的概念の確立
价态振荡物质能隙起源的普遍概念的建立
批准号:
05640398
负责人:
笠谷 光男
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1993
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1993 至 --

项目摘要

项目成果

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Ce_3Au_<3->xPt_XSb_4(X=0〜3)系でのSystematicな物性測定が本科研費での最も大きな成果である。X=0すなわちCe_3Au_3Sb_4ではCeイオンの価数が3+であり半導体的性質をしめす。Xの増加と共に帯磁率は低温でPtの量に相当してCe^<3+>の寄与が減少している。然し乍ら高温領域でのCurie定数から求められるCeのモーメントはXの値に無関係にCe3+(4f^1)になる。半導体的性質は全てのXで観測される。これらの実験事実は半導体的価数揺動物質のエネルギーギャップの起因の解明に大きな指針を与えた。詳細は1993年米国サンジエゴで開催された強相間の電子系に関する国際会議SCES'93に招待講演として筆者より発表された。要点は以下の如きである。Pt(Auより電子数が一個少ない)の添加と共に価電子帯にホールが出来,此の穴を埋めるべくフェルミエネルギー以下にあったf^1のレベルがエネルギーギャップ内に持ち上げられf^0となる。従って半導体的性質はXの如何に拘わらず維持される。温度の上昇と共に,価電子帯から空のf^0レベルに電子が励起され再びモーメントをもち始めて帯磁率は増加する。さらに高温では温度による擾乱で帯磁率はCurie-Weiss則に従って減少する。この結果は実験事実とも一致する。現在,以上のモデルを使用して他の価数揺動物質,たとえばYbB_<12>にも適用して普遍的概念の確立を目指して数値計算を行っている。我々は更に,大きな結晶の作成が困難と言われていた同型のCe_3Pt_3Bi_4(エネルギーギャップの大きさや帯磁率がピークを示す温度がCe_3Pt_3Sb_4の〜1/4)の結晶も作成した。このホール効果の測定よりさらにモデルの精密化を進行させている。これらの新しい結果に関しては,1994年8月アムステルダムで開催予定SCES'94で発表の予定である。
期刊论文(12)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
F.Iga: "Transport Properties under High Pressure of the Dense Kondo Compounds CePdSn and YbB_<12>" Physica B. 186-188. 419-421 (1993)
F.Iga:“致密近藤化合物CePdSn和YbB_<12>在高压下的输运特性”Physica B.186-188。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
F.Iga: "The study of high field magnetization in the Kondo alloy system Lu_<1-X>Yb_XB_<12>" Physica B. (in press). (1994)
F.Iga:“近藤合金系 Lu_<1-X>Yb_XB_<12> 中高场磁化的研究”Physica B.(出版中)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
K.Katoh: "Localized f-electron Antiferromagnetism,Heavy Fermion behavior and Mixed valence in Ce_3Au_3Sb_4,Ce_3Pt_3Sb_4 and related Compounds" Physica B. 186-188. 428-430 (1993)
K.Katoh:“Ce_3Au_3Sb_4、Ce_3Pt_3Sb_4 及相关化合物中的局域 f 电子反铁磁性、重费米子行为和混合价”Physica B. 186-188。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
M.Kasaya: "Valence change and Physical Properties in semiconducting mixed-valent rare-earth compounds" Physica B. (in press). (1994)
M.Kasaya:“半导体混合价稀土化合物的价态变化和物理性质”Physica B.(出版中)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
6
    ヘビーフェルミオンが如何に半導体へ転移するか; CeRhX (X=Bi, Sb, As)系での検証
    • 批准号:
      08640437
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $1.41万
    • 财政年份:
      1996
    • 负责人:
      笠谷 光男
    • 依托单位:
    新しいタイプの超伝導を示す希土類三元化合物の探索
    • 批准号:
      08223203
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $0.77万
    • 财政年份:
      1996
    • 负责人:
      笠谷 光男
    • 依托单位:
    物質設計による新化合物の育成及びその基礎物性に関する研究
    • 批准号:
      07233203
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $1.15万
    • 财政年份:
      1995
    • 负责人:
      笠谷 光男
    • 依托单位:
    希土類三元化合物の新物質合成及びフラックス法を用いた単結晶育成
    • 批准号:
      06244204
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $3.52万
    • 财政年份:
      1994
    • 负责人:
      笠谷 光男
    • 依托单位: