アモルファス半導体の電子-ボンド相互作用のボンド選択励起法による研究

利用键选择性激发方法研究非晶半导体中的电子键相互作用

• 批准号: 05650008
• 负责人: 打木 久雄
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Nagaoka University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05650008/
• 关键词: アモルファス半導体; 電子-ボンド相互作用

1.現有の連続モード同期Nd:YAGレーザーの共振器内にQスイッチ素子(NEOS社製)を取り付け、モード同期とQスイッチの併用動作をさせて、パルス幅100ピコ秒、パルス間隔12ナノ秒の約30本のパルス列(最大パルスエネルギー30μJ、パルス列の繰り返し1kHz)を発生させた。このパルス列をKTP結晶に入れ第2高調波光(532nm)を発生させた。2.θ=43°、φ=0°でカットした5x3x10mm^3のKTP結晶と4枚のミラーを用いた単一共振型パラメトリック発振器を組み立てた。当初AgGaS_2結晶を使用する計画であったが、メーカーの生産休止のため、発振波長は約4μm程度と短くなるがパラメトリック発振の報告例もあるKTP結晶を用いることにした。共振器の調整にはHe-Neレーザーを用いた。3.このパラメトリック発振器のKTP結晶に1で得た532nm光を円筒面凸レンズで集光し、発振を試みた。しかし、発振に到る前に結晶に損傷が生じた。用いた結晶の品質に問題があったようである。現在、第二の結晶を用意しているところである。早急に発振を行い、得られた赤外光をアモルファスC:H膜に照射し、当初の計画を実行する予定である。4.空気中紫外光照射によるアモルファスC:H膜の膜厚減少効率の照射紫外光波長依存性を測定し、低エネルギーしきい値が約3.1eVであることが分かった。光生成された電子正孔対のエネルギー移動による結合解離の可能性が高い。

1. In the resonator of the Nd:YAG laser, the Q element (NEOS) is selected, and the simultaneous operation of the Nd: YAG laser resonator is realized. The range of the pulse width is 100 ° C seconds, and the interval of the pulse width is 12 ° C seconds. About 30 samples (maximum range of pulse width is 30μJ, and the range of pulse width is 1kHz) are generated. This series of KTP crystals was produced in the second high-profile wavelength (532nm). 2.θ=43°, φ=0°, 5x3x10mm^3 KTP crystals, 4 crystals, single resonance type, single resonance type. In the past, AgGaS_2 crystals were used in the production of the suspension, and the wavelength of the oscillation was about 4μm. He-Ne laser is used for resonator adjustment. 3. The KTP crystal of the oscillator has a wavelength of 532nm. The crystal damage occurred before the vibration. The quality of the crystal is very high. Now, the second crystallization is intended to be. Early detection, detection 4. The film thickness reduction efficiency of C:H films was measured under ultraviolet irradiation in the air, and the film thickness reduction efficiency was measured at about 3.1 eV. The probability of binding dissociation due to the movement of photogenerated electrons is high.

项目成果

野田吉男: "アモルファス水素化炭素(a-C:H)膜の光誘起効果" 平成5年度電子情報通信学会信越支部大会講演論文集. 267-268 (1993)

Yoshio Noda：“无定形氢化碳（a-C:H）薄膜的光致效应”1993年电子、信息和通信工程师学会信越分会会议记录267-268（1993）。