アモルファス半導体の電子-ボンド相互作用のボンド選択励起法による研究

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1.現有の連続モード同期Nd:YAGレーザーの共振器内にQスイッチ素子(NEOS社製)を取り付け、モード同期とQスイッチの併用動作をさせて、パルス幅100ピコ秒、パルス間隔12ナノ秒の約30本のパルス列(最大パルスエネルギー30μJ、パルス列の繰り返し1kHz)を発生させた。このパルス列をKTP結晶に入れ第2高調波光(532nm)を発生させた。2.θ=43°、φ=0°でカットした5x3x10mm^3のKTP結晶と4枚のミラーを用いた単一共振型パラメトリック発振器を組み立てた。当初AgGaS_2結晶を使用する計画であったが、メーカーの生産休止のため、発振波長は約4μm程度と短くなるがパラメトリック発振の報告例もあるKTP結晶を用いることにした。共振器の調整にはHe-Neレーザーを用いた。3.このパラメトリック発振器のKTP結晶に1で得た532nm光を円筒面凸レンズで集光し、発振を試みた。しかし、発振に到る前に結晶に損傷が生じた。用いた結晶の品質に問題があったようである。現在、第二の結晶を用意しているところである。早急に発振を行い、得られた赤外光をアモルファスC:H膜に照射し、当初の計画を実行する予定である。4.空気中紫外光照射によるアモルファスC:H膜の膜厚減少効率の照射紫外光波長依存性を測定し、低エネルギーしきい値が約3.1eVであることが分かった。光生成された電子正孔対のエネルギー移動による結合解離の可能性が高い。