高分解能RBS法を用いた超深さ分解能計測

使用高分辨率 RBS 方法进行超深度分辨率测量

• 批准号: 05650029
• 负责人: 木村 健二
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05650029/
• 关键词: 表面分析; ラザフォード後方散乱法; 高深さ分解能; エピタキシャル成長

シリコン結晶にアンチモンを低温MBEの手法でδドーピングした試料を、本研究で開発した高分解能RBS法を用いて調べた。従来のSIMSを用いた研究ではドーピングされたアンチモンの深さ分布が、SIMSの深さ分解能に相当する約3nm以下であることが示されていた。今回、高分解能RBS法で測定したところ、アンチモンは0.6nm程度の広がりを持った分布をしていることが分かった。これにより、高分解能PBS法は、表面の定量分析では深さ分解能が最も良いされていたSIMSよりも、数倍以上深さ分解能が優れていることを示した。また、アンチモンのドーピング深さが数nm以下では、アンチモンの一部が表面に異常偏析していることが分かった。これは、アンチモンの拡散係数が、従来考えられていたよりもはるかに大きいことを示唆している。この詳細については、現在研究を続行中である。高分解能RBS法を用いてPbTe/SnTe(001)およびAg/Si(001)のエピタキシャル成長の初期過程を観察した。その結果、PbTe/SnTe(001)では、従来の電子顕微鏡による観察から結論されていた様に、層状成長をしていることが確認できた。しかしながら、第一層が完全に成長する前に第2層が成長を開始しており、完全な層状成長とは異なっていることが分かった。Ag/Si(001)については、760Kでは0.5MLのみ銀が層状に吸着し、それ以上は成長しないことが分かった。また520Kでは0.5ML程度層状成長し、その後は島状の成長をすることが分かった。

The results showed that the cryogenic MBE method was used in this study. The high decomposition energy RBS method was used in this study. In this paper, SIMS is used to study the distribution of deep distribution and the decomposition energy of SIMS. The decomposition energy of deep decomposition is about the same as that of 3nm. This time, the RBS method can be used to determine the temperature distribution, the degree of 0.6nm and the degree of distribution. The PBS method of high decomposition energy, the quantitative analysis of surface, the depth of decomposition energy, the best decomposition energy, the decomposition energy of more than several times the depth, the decomposition energy of several times or more, the decomposition energy of more than one time, the decomposition energy of several times or more, the decomposition energy of several times or more, the results show that the decomposition energy of high decomposition energy, surface quantitative analysis, deep decomposition energy, multiple times and more depth decomposition energy. The number of samples is below nm, the surface is often segregated, the parts are separated. I don't know, I don't know. I am in the middle of a study. The high decomposition energy RBS method is used to observe the initial process of the growth process of the high decomposition energy RBS method. The high decomposition energy RBS method uses the high decomposition energy Ag/Si method. The results of the test, the PbTe/SnTe (001), the computer micro-computer monitoring, the results of the test, the results, and the results. At the beginning of the first year of full growth, the beginning of the second year of growth, the beginning of the second year of growth, and the beginning of the second year of growth. Ag/Si, 760K, 760K, 760K, 0.5ML, temperature, temperature and temperature. At 520K, the degree of 0.5ML grows slowly, and later, it grows slowly.

项目成果

Kenji Kimura: "Surface investigations using monolayer-resolvable high-resolution Rutherford backscatering spectroscopy" Nuclear Instruments & Methods. (印刷中).

Kenji Kimura：“使用单层可分辨高分辨率卢瑟福背散射光谱进行表面研究”核仪器与方法（正在出版）。

木村健二: "高エネルギーイオン散乱法を用いたモノレイヤーアナリシス" 表面科学. 14巻. 385-390

Kenji Kimura：“使用高能离子散射法进行单层分析”《表面科学》第 14 卷，385-390。