高分解能RBS法を用いたエピタキシャル成長初期過程の研究

高分辨率RBS法研究外延生长初始过程

• 批准号: 06650039
• 负责人: 木村 健二
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06650039/
• 关键词: 高分解能RBS; 原子層分析; エピタキシャル成長; S-Kモード

高分解能RBS法に使用しているゴニオメーターを、通電加熱法によりシリコンの清浄表面が散乱槽内で得られるように改良した。RHEED用電源を作製し、散乱層内でその場でRHEED法による清浄表面の観察が行えるようにした。このように改良した高分解能RBS装置を用いて、Si(001)表面上に真空蒸着法により銀を成長させて、成長の初期過程を観察した。その結果、シリコンの温度が760Kでは、銀は蒸着量が0.5原子層(ML)までは2次元成長をして、それ以上蒸着量を増加させても銀の吸着量は増加しない事が分かった。またRHEED観察では、銀の蒸着により2X1パターンが殆ど変化しない事が分かった。これらの事実と、銀原子で散乱されたイオンのエネルギー損失の測定から、銀原子の吸着位置を決定する事ができた。また、シリコンの温度が520Kでは、銀の成長様式は2次元膜形成の後島状成長に変化するS-Kモードである事が分かった。また、2次元成長の臨界膜厚は0.5MLである事も見いだした。高分解能RBS法を用いて、SnTe(111)表面上にエピタキシャル成長したPbSe(111)結晶の表面観察も行った。その結果、表面原子層は鉛原子のみを含んだ(111)原子面であり、その原子密度がバルクの密度の約1/3である事を見いだした。これらの結果は、他の分析法で得る事は困難であり、原子層ごとの分析が可能な高分解能RBS法の有用性を示す事ができた。

The high decomposition energy RBS method can be used to clean the surface and improve the quality of the scattered trough. The RHEED uses a power source to act as a carrier, scattered in the air, and the RHEED method is used to clean the surface, inspect the surface, and make sure that it is not safe. The method of vacuum steaming on the surface of RBS and Si (001) is used to improve the high decomposition energy of high decomposition energy. The results show that the temperature of temperature is 760K, the amount of evaporation is 0.5 (ML), the second order of growth is the amount of steam, and the amount of steam above the temperature is much higher than that of the temperature. The RHEED inspected and steamed the whole thing, 2X1 the whole thing. The atoms are scattered, the atoms are scattered, the atoms are not measured, and the suction position of the atoms is determined. The temperature of temperature is 520K, the temperature is 520K, and the second-order film is formed after the formation of the film. The thickness of the boundary film for the growth of the second generation, the thickness of the 0.5ML film, the thickness of the film. The high decomposition energy RBS method was used to study the growth of temperature and temperature on the surface of SnTe. The surface of PbSe (111) was observed by scanning electron microscopy. The results show that the atomic density of the (111) atomic surface is much higher than that of the atomic surface (111). The results of RBS analysis, the results of other analysis methods, and atomic analysis methods.

项目成果

Kenji Kimura: "Observation of the PbSe(111)surface using high-resolution Rutherford backscattering spectroscopy" Surface Science. 318. 363-367 (1994)

Kenji Kimura：“使用高分辨率卢瑟福背散射光谱观察 PbSe(111) 表面”表面科学。

Kenji Kimura: "Monolayer Resolution in Rutherford Backscattering Spectroscopy" Nuclear Instruments and Methods. (印刷中).

Kenji Kimura：“卢瑟福背散射光谱中的单层分辨率”核仪器和方法（正在出版）。