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結晶質導線を内部コアに有する複合アモルファス磁性細線コイルレスインダクタンス素子

内芯有结晶导线的复合非晶磁性细线无线圈电感元件

基本信息

批准号：
05650306
负责人：
山崎二郎
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Kyushu Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05650306/
关键词：
アモルファスインダクタンスコイルレス磁気ひずみ高周波

项目摘要

負磁歪を有するCo-Si-Bアモルファスワイヤはバンブー状の磁区模様を呈し、大きな円周方向の磁化成分を有する。このユニークな磁区構造は回転液中での液体金属急冷時にワイヤに導入される残留応力と磁気歪みの相互作用による磁気異方性、および、ワイヤの2次元形状異方性に基ずくものである。このため、電流を直接通電すれば、これにより発生する円周磁界で大きな磁化変化が誘導されるので、励磁巻線を必用としない微小インダクタンス素子としての利用が期待される。本研究では磁気歪みが零に近いアモルファスワイヤを作製して、熱処理および線引処理を施して磁気歪みの応力依存性を調べ微小インダクタンス素子の開発を試みた。その結果以下の項目が明かとなった。(1)アモルファスワイヤの磁気歪みは値が小さい範囲では熱処理によるアモルファス構造の規則化により正の側へシフトする。(2)細線化したアモルファスワイヤは200MPa程度の残留応力を蓄えている。アモルファス磁性体の磁気歪は応力による原子間歪みで減少することが予測されるが、期待される減少を示さない。(3)組成熱処理を最適化することにより、線径120mum長さ1cmのワイヤにより500Hzにおいて80muHの大きなインダクタンスが得られた。巻線を必用としないので電子回路基板状に回路素子としてマウントし、簡単なインダクタンス素子としての仕様が期待される。(3)線引により線径を50mumに細線化することにより、100KHz程度の高周波域で使用できるインダクタンス素子を得た。(4)急冷速度を制御することにより、アモルファスワイヤ内部を結晶質として電気抵抗率を下げることにより、高周波域でのQ値を数倍に向上させる事ができる。

The negative magnetic field has a Co-Si-B polarization, and the magnetic field mode has a large magnetization component in the circumferential direction The structure of the magnetic field is composed of two dimensional anisotropic elements. The current is directly energized, the magnetization is induced, the excitation line is required, and the micro-current is expected to be utilized. In this study, we tried to adjust the development of micro-elements by controlling the magnetic field, heat treatment and wire treatment, and by adjusting the force dependence of magnetic field. The results of the following items are as follows: (1)The magnetic properties of the heat treatment system are small, the heat treatment system is regular, and the heat treatment system is regular. (2)The fine line structure of the steel plate has a residual stress of 200MPa. The magnetic properties of magnetic materials are predicted and expected to decrease due to the decrease in interatomic distortion. (3)Composition heat treatment optimization: wire diameter 120mum, length 1cm, width 500Hz, width 80 mum, width 500 mm The circuit elements of the electronic circuit substrate must be used in the circuit elements of the electronic circuit substrate. (3)Line diameter: 50mum Line diameter: 100KHz High frequency range: 100KHz High frequency range (4)Quenching speed is controlled by several factors such as internal crystal quality, electrical resistivity, etc.