ナノ粒子形成によるアルカリハライド結晶薄膜のシンチレーション機能の制御
ナノ粒子形成によるアルカリハライド結晶薄膜のシンチレーション機能の制御
批准号:
15656007
负责人:
中山 正昭
金额:
$2.18万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2003
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2003 至 2004
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薄膜結晶の母体材料として、代表的なアルカリハライド・シンチレータ材料であるCsIに着目し、ヨウ素をコモンイオンとした2種類のアルカリハライド(NaI, LiI)をドーピング材料として試料作製を行った。試料作製においては、まず、ブリッジマン法によりバルク結晶を作製し、それをソースとして真空蒸着法を用いて薄膜の結晶成長を行った。物性評価に関しては、構造物性の観点から、X線構造解析と原子間力顕微鏡による表面モルホロジー観察を行い、光物性の観点から、X線励起発光(シンチレーション)スペクトル、紫外線励起発光スペクトルの測定を行った。研究成果の概要を以下に述べる。(1)NaIをドーピングしたCsI(CsI:Na)薄膜では(ドーピング濃度0.1〜0.3mol%)、昨年度の研究において、真空中での熱処理(250℃、1〜3時間)によりNaIナノ粒子が形成され、それによりシンチレーションが活性化することを見出した。この成果をベースとして、母体であるCsI結晶からNaIナノ粒子への励起エネルギー移動機構に関する研究を行った。X線励起シンチレーションと紫外線励起発光の温度依存性の系統的な測定から、約100K以下の低温領域では、母体CsIに起因する自己束縛励起子発光が主発光であり、100K以上の温度領域において、前記の自己束縛励起子が熱エネルギーによりホッピング運動してNaIナノ粒子に捕捉され、ナノ粒子に起因するシンチレーションが主発光となることを見出した。(2)LiIをドーピングしたCsI(CsI:Li)薄膜(ドーピング濃度0.1〜0.3mol%)において、熱処理によるナノ粒子形成とそれに伴うシンチレーションの活性化が生じることを新たに見出した。また、CsI:Na系と同様なエネルギー移動機構を確認した。この成果は、「ナノ粒子形成によるシンチレーション機能の制御」という概念が新たなパラダイムとなりうることを実証している。
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中山正昭: "CsI : Na薄膜におけるナノ粒子形成とシンチレーション機能"固体物理. Vol.38,No.12. 865-869 (2003)
Masaaki Nakayama:“CsI:Na 薄膜中的纳米颗粒形成和闪烁功能”固体物理,第 38 卷,第 865-869 期(2003 年)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Scintillation activated by nanoparticle formation in CsI:Na thin films
CsI:Na 薄膜中纳米颗粒形成激活的闪烁
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Journal of Luminescence 108
影响因子:
--
作者:
[M.Nakayama, M.Nakayama]
通讯作者:
M.Nakayama
Scintillation properties of CsI:Na thin films from viewpoint of nanoparticle formation
从纳米颗粒形成的角度观察 CsI:Na 薄膜的闪烁特性
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Journal of Luminescence (in press)
影响因子:
--
作者:
[M.Nakayama]
通讯作者:
M.Nakayama
M.Nakayama: "Scintillation activated by nanoparticle formation in CsI : Na thin films"Journal of Luminescence. (to be published). (2004)
M.Nakayama:“CsI : Na 薄膜中纳米粒子形成激活的闪烁”发光杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
半導体超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態の共鳴結合に関する光学的研究
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批准号:04740176
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:中山 正昭
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依托单位:
GaAs/InAlAs歪超格子における正孔量子準位に関する研究
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批准号:03740176
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1991
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负责人:中山 正昭
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依托单位:
半導体超格子における光変調反射のメカニズムに関する研究
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批准号:02740172
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1990
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负责人:中山 正昭
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依托单位:
半導体超格子のサブバンド間吸収に関する研究
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批准号:63740179
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1988
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负责人:中山 正昭
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依托单位:
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批准号:62740191
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1987
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负责人:中山 正昭
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依托单位:
レーザーラマン分光法によるポリタイプ半導体超格子のフォノンモードの研究
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批准号:61740184
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1986
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负责人:中山 正昭
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依托单位:
国内基金
海外基金
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CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
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批准号:2026JJ50456
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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依托单位:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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依托单位:
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:林改
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依托单位:
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批准号:JCZRMS202600414
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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批准号:2026JJ50114
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批准年份:2026
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批准号:2026JJ50115
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批准年份:2026
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批准年份:2026
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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智能化柔性光电薄膜材料精准制备平台
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批准号:JCZRMS202601078
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批准年份:2026
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负责人:
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批准号:JCZRQNA202600009
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