MBE による InSb 系多層構造の製作と新機能素子への応用
MBE による InSb 系多層構造の製作と新機能素子への応用
MBE法制备InSb多层结构及其在新型功能器件中的应用
批准号：
58460064
负责人：
木俣 守彦
金额：
$4.48万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1983
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1983 至 1985
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深い不純物準位を有する Ge の電圧振動
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批准号：X00090----755007
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1972
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负责人：木俣 守彦
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依托单位：