深い不純物準位を有する Ge の電圧振動
深い不純物準位を有する Ge の電圧振動
深杂质水平Ge的电压振荡
批准号：
X00090----755007
负责人：
木俣 守彦
金额：
$0.51万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1972
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1972 至 --
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会议论文
MBE による InSb 系多層構造の製作と新機能素子への応用
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批准号：58460064
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$4.48万
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财政年份：1983
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负责人：木俣 守彦
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依托单位：