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イオンビームデポジッション法による巨大飽和磁化を持つ軟磁性窒化鉄膜の作製

イオンビームデポジッション法による巨大飽和磁化を持つ軟磁性窒化鉄膜の作製
离子束沉积法制备大饱和磁化强度软磁氮化铁薄膜
批准号：
59460106
负责人：
直江 正彦
金额：
$5.06万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 1985
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-59460106/
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イオンビ-ムスパッタ法によるREーTM系金属間化合物人工格子型巨大磁歪膜の材製
  • 批准号：
    03240214
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    直江 正彦
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
対向タ-ゲット式スパッタ法による三元金属人工格子膜の作製と磁気デバイスの応用
  • 批准号：
    02254207
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.79万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    直江 正彦
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
ダブルイオンビームスパッタ法による薄膜ヘッド用軟磁性アモルファス合金膜の作製
  • 批准号：
    58550209
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    1983
  • 负责人：
    直江 正彦
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
スパッタ法による垂直磁気記録媒体用マグネトプラムバイト型フェライト薄膜の作製
  • 批准号：
    56550211
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    1981
  • 负责人：
    直江 正彦
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology