イオンビ-ムスパッタ法によるREーTM系金属間化合物人工格子型巨大磁歪膜の材製
イオンビ-ムスパッタ法によるREーTM系金属間化合物人工格子型巨大磁歪膜の材製
批准号:
03240214
负责人:
直江 正彦
金额:
$1.6万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
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人工的に二種の希土類ー鉄属遷移金属(REーTM)の金属間化合物を数nm〜数μmの一定周期で層状に積み重ねた構造を持つ多層膜はそれらの単体膜とは異なった磁気特性を示すのみならず、層境界での相互作用による磁気異方性や電気機械結合力の飛躍的増大が期待できる。これまでのスパッタ技術では層境界を乱さず、極薄層を多数積み上げることは難しいが、デュアル・イオンビ-ム式スパッタ法はそれらが可能となるので上述の機能を引き出せる有力な方法として注目される。本研究では、二種の極薄層を交互に堆積を繰り返して、層境界の乱れがみられない人工格子型膜を作製できる二種の複合タ-ゲット取り付ケスパッタ装置を試作し、これを用いてFeを主材料とした薄膜を形成する基礎実験を行った。本年度では希土類と同様に活性度の高い金属元素であるAlやMnを多層膜構成材料として使用し、Fe系多層膜の構成して、その結晶性や磁気特性等の諸特性に与える層厚や層周期の依存性を調べた。例えば、FeとAlの多層膜においては、Al中間層の厚さが15A^^0以上になると軟磁気特性が向上する。そのときに膜中に磁気異方性が現れ、結晶面間隔のずれが中間層厚に比例しなくなることからこの層厚以上で上下間のFe層の結晶子が独自に成長するものと考えられる。また、通常、金属・合金のスパッタに用いられるArガスに変えて、Krガスを用い、Fe層の結晶性が向上した。これは、タ-ゲット原子よりも重い元素でスパッタしたことによりスパッタ粒子のエネルギ-が増加したことと、タ-ゲット表面からの反跳原子が少なくなったことが原因と思われ、今後、希土類元素等の重元素のスパッタを行なう際に配慮すべき重要な点と考えられた。これらをはじめ、本研究によりREーTM系の金属間化合物人工格子を作製する際の有力な知見を得ることができた。
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Takasi KAWANABE: "Magneto Optical Properties of Pt/MnSb Multilayered films with Perpendicular Magnetic anisotropy" J.of Magn.Soc.Jpn.15. 53-55 (1991)
Takasi KAWANABE:“具有垂直磁各向异性的 Pt/MnSb 多层膜的磁光学特性”J.of Magn.Soc.Jpn.15。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Kibong SONG: "Improvement of Magneto‐optical Characteristics of TbFeCo/Al bilayered Fims at a Short Wavelength of 400nm" J.Appl.Phys.70. 6395-6397 (1991)
Kibong SONG:“400nm 短波长下 TbFeCo/Al 双层薄膜磁光特性的改进”J.Appl.Phys.70 (1991)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Kazuyoshi KUBOTA: "In Situ Measurement of Internal Stress Distribution in Fe/Al Multi‐Layered" IEEE Trans.on Magn.MAG‐27. (1991)
Kazuyoshi KUBOTA:“铁/铝多层内应力分布的原位测量”IEEE Trans.on Magn.MAG-27 (1991)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Toyoaki HIRATA: "Kerr Rotation and Perpendicular Magnetic Anisotropy of CoCr Films with Al Ultrathin Interlayers" J.Appl.Phys.70. 6392-6394 (1991)
Toyoaki HIRATA:“具有铝超薄中间层的 CoCr 薄膜的克尔旋转和垂直磁各向异性”J.Appl.Phys.70。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Kazuyoshi KUBOTA: "Magnetic Properties of Fe‐N/Al‐N Multi‐layered Films Prepared by Ar Ion‐Assist Sputtering" J.Appl.Phys.70. 6430-6432 (1991)
Kazuyoshi KUBOTA:“Ar 离子辅助溅射制备的 Fe-N/Al-N 多层薄膜的磁性”J.Appl.Phys.70 (1991)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 11 条
対向タ-ゲット式スパッタ法による三元金属人工格子膜の作製と磁気デバイスの応用
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批准号:02254207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1990
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
イオンビームデポジッション法による巨大飽和磁化を持つ軟磁性窒化鉄膜の作製
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批准号:59460106
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.06万
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财政年份:1984
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
ダブルイオンビームスパッタ法による薄膜ヘッド用軟磁性アモルファス合金膜の作製
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批准号:58550209
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1983
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
スパッタ法による垂直磁気記録媒体用マグネトプラムバイト型フェライト薄膜の作製
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批准号:56550211
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1981
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
イオンビーム式スパッタ法による非晶質シリコン膜の作製とその太陽光発電素子への応用
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批准号:X00090----455121
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1979
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
同時スパッタリングによる弾性表面波素子用Tb-Dy-Fe系合金薄膜の作製
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批准号:X00095----265090
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.31万
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财政年份:1977
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
スッパタリングによる組成ずれのないYIG薄膜の作製とマイクロ波デバイスへの応用
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批准号:X00095----165072
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.28万
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财政年份:1976
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
反応スパッタリングによるフェリ磁性半導体薄膜の作製
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批准号:X00095----065054
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.28万
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财政年份:1975
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
反応スパッタリング法による磁気バブル素子用非晶負薄膜の作製
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批准号:X00095----965045
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.3万
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财政年份:1974
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
高周波スパッタリングによる磁気バブル素子用フェライト単結晶膜の作製
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批准号:X00095----865043
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.24万
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财政年份:1973
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
微弱赤外線に対する強度の精密測定用酸化物薄膜の作製
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批准号:X00210----775139
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.15万
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财政年份:1972
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
弾性表面波励振用のフェライト膜の作製
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批准号:X46210------5140
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.12万
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财政年份:1971
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
真空アーク蒸着による厚いフェライト膜の作製とその応用
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批准号:X44210------5071
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.1万
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财政年份:1969
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负责人:直江 正彦
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依托单位:
海外基金