半導体中のフォノン励起によるミリ波・遠赤外光の発生
半導体中のフォノン励起によるミリ波・遠赤外光の発生
批准号:
X00080----146082
负责人:
須藤 建
金额:
$4.74万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份:
1976
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1976 至 1977
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会议论文
III-V族化合物半導体素子の表面不活性化
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批准号:X00040----220306
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1977
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负责人:須藤 建
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依托单位: