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半導体中のフォノン励起によるミリ波・遠赤外光の発生

半導体中のフォノン励起によるミリ波・遠赤外光の発生
通过半导体中的声子激发产生毫米波和远红外光
批准号:
X00080----146082
负责人:
須藤 建
金额:
$4.74万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份:
1976
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1976 至 1977
关键词:

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III-V族化合物半導体素子の表面不活性化
  • 批准号:
    X00040----220306
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $1.92万
  • 财政年份:
    1977
  • 负责人:
    須藤 建
  • 依托单位: