III-V族化合物半導体素子の表面不活性化
III-V族化合物半導体素子の表面不活性化
III-V族化合物半导体器件的表面钝化
批准号：
X00040----220306
负责人：
須藤 建
金额：
$1.92万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1977
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1977 至 --
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半導体中のフォノン励起によるミリ波・遠赤外光の発生
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批准号：X00080----146082
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$4.74万
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财政年份：1976
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负责人：須藤 建
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依托单位：