课题基金 / 基金详情

セラミックスフィルター表面に形成したゼオライト分離膜の開発

セラミックスフィルター表面に形成したゼオライト分離膜の開発
陶瓷过滤器表面形成的沸石分离膜的开发
批准号:
04650851
负责人:
橋本 健治
金额:
$1.34万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1992
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1992 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
混合物から有用成分だけを高度分離する方法として、膜分離が注目されている。しかし、一部実用化されている高分子膜は耐熱性と機械的強度が極めて低い。そこで、本研究ではこれらの問題点を克服できる、全く新しい、セラミックスフィルターの外表面に形成したゼオライト分離膜を開発することを目的とした。その結果、以下の成果を得た。(1)セラミックスフィルターの外表面へのゼオライト膜の形成:吸着分離用のA型ゼオライトと団体触媒であるZSM-5を膜として合成した。まず高圧用オートクレーブ内にセラミックスフィルターを原料液と共に仕込み、80〜200゚C、2〜72hでフィルターの表面に厚さ数10μmのA型ゼオライトおよびZSM-5ゼオライトの緻密な膜を直接合成した。さらに、高速成膜を実現するために、反応原料液を連続的に投入すると同時に反応槽中の液を連続的に排出することで、反応物質を高濃度に維持した。その結果、合成に48h必要だったのが12hで合成できるようになった。また、反応物質を水ガラスからケイ酸ナトリウムに変えることや非常で緻密な膜が合成できるようになった。(2)化学気相成長(CVD)法によるゼオライト膜の欠陥細孔の除去:生成したゼオライト膜は電子顕微鏡レベルでは欠陥が見られないが、ナノレベルの欠陥細孔し(細孔径:2,20,200nm)が存在していた。その径はゼオライト細孔(0.数nm)よりも大きいため、高度分離に使用するためには除去する必要がある。テトラメトキシシランのCVD法により2,20nmの細孔を除去することに成功した。200nmの細孔はCVD法が高温処理であるために除去してキヒートショックで新たに生成した。今後、低温で進行するオゾンを用いたCVD法により200nmの細孔を除去する研究が必要である。
英文摘要
混合物から有用成分だけを高度分離する方法として、膜分離が注目されている。しかし、一部実用化されている高分子膜は耐熱性と機械的強度が極めて低い。そこで、本研究ではこれらの問題点を克服できる、全く新しい、セラミックスフィルターの外表面に形成したゼオライト分離膜を開発することを目的とした。その結果、以下の成果を得た。(1)セラミックスフィルターの外表面へのゼオライト膜の形成:吸着分離用のA型ゼオライトと団体触媒であるZSM-5を膜として合成した。まず高圧用オートクレーブ内にセラミックスフィルターを原料液と共に仕込み、80〜200゚C、2〜72hでフィルターの表面に厚さ数10μmのA型ゼオライトおよびZSM-5ゼオライトの緻密な膜を直接合成した。さらに、高速成膜を実現するために、反応原料液を連続的に投入すると同時に反応槽中の液を連続的に排出することで、反応物質を高濃度に維持した。その結果、合成に48h必要だったのが12hで合成できるようになった。また、反応物質を水ガラスからケイ酸ナトリウムに変えることや非常で緻密な膜が合成できるようになった。(2)化学気相成長(CVD)法によるゼオライト膜の欠陥細孔の除去:生成したゼオライト膜は電子顕微鏡レベルでは欠陥が見られないが、ナノレベルの欠陥細孔し(細孔径:2,20,200nm)が存在していた。その径はゼオライト細孔(0.数nm)よりも大きいため、高度分離に使用するためには除去する必要がある。テトラメトキシシランのCVD法により2,20nmの細孔を除去することに成功した。200nmの細孔はCVD法が高温処理であるために除去してキヒートショックで新たに生成した。今後、低温で進行するオゾンを用いたCVD法により200nmの細孔を除去する研究が必要である。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
K3曲面の自己同型群と周期の研究と格子理論
  • 批准号:
    08J56181
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.15万
  • 财政年份:
    2008
  • 负责人:
    橋本 健治
  • 依托单位:
多様なエネルギー資源の利用(連絡班)
  • 批准号:
    04203110
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.92万
  • 财政年份:
    1992
  • 负责人:
    橋本 健治
  • 依托单位:
石炭の総合的利用を目指した複合的変換プロセスの開発
  • 批准号:
    04203111
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $17.92万
  • 财政年份:
    1992
  • 负责人:
    橋本 健治
  • 依托单位:
石炭の総合的利用を目指した複合的変換プロセスの開発
  • 批准号:
    03203111
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $14.72万
  • 财政年份:
    1991
  • 负责人:
    橋本 健治
  • 依托单位:
海外基金