陽イオンビーム生成用固体材料の表面電子物性
陽イオンビーム生成用固体材料の表面電子物性
批准号:
06650041
负责人:
河野 博之
金额:
$1.02万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 --
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各種の耐熱金属(W,Re,Mo,Ta,Nbなど)を高真空中(Pr=0.2〜20μTorr)で色々な温度(900〜2300K)に加熱して、その表面にアルカリハライド(MX,例えばNaBr,LiI,Kcl,RbBrなど)の分子線を入射させ、熱陽イオン(M^+)の生成効率(β^+)を測定後、そのデータを我々の創案した理論式で解析した。その結果、(1)金属の表面電子物性を支配する仕事関数,特に,熱陽イオンの生成に有効な仕事関数(φ^+)の値は、中間の温度領域(Tm,例えばNaBr/W系でPr=0.2μTorr,入射密度Nが4×10^<13>分子/cm^2secのときには、約1100〜1400K)で最大値を示し、(2)その領域の上限はNに由らないが、しかしPrの増大と共に高温側にシフトする。一方、(3)その下限値は、Prに依らないが、Nの増大と共に高くなる。また、(4)実質的清浄な表面が維持される最低の温度(T^*)は、Prの増加と共に高温側に移動する。一方、(5)表面に吸着した残留ガス成分を、昇温脱離式質量分析法で測定したところ、O^+やCO^+として検出される酸素系化合物の吸着量と、φ^+の変化量との間には、良好な相関々係が確認された。また、(6)熱電子の放射に有効な仕事関数(φ^e)も同様な実験条件の下で測定して、φ^e対Tのパターンが、φ^+対Tと全く同一の様相を示し、最低温度T^*も両者間で一致することを見出した。さらに、(7)表面電子物性のコントラスト(△φ^≠≡φ^+-φ^e)と、その温度依存性なども解明し、例えばWではT=1500〜2200Kの間で△φ^≠=0.7P±0.05eVの一定値となることをつきとめた。さらに、(8)上述のT^*とPrとの定量的な相関関係も追究し、例えばReの場合には、T^*=(2820±36)+(241±15)lagPrの実験式を樹立した。以上の新しい実験データや,理論的な解析結果などは、スエ-デンのウプサラ市で開催された第4回欧州真空会議や、福岡市に於ける日本化学会の九州支部・中国四国支部の合同大会などで,順次講演発表すると共に、それらのエッセンスは、イギリスの国際学術月刊誌Vacuumに掲載が確定しており、現在印刷中である。
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河野博之、中村淳司,松井誠二: "高温の金属表面に於ける熱陽イオンの生成反応 III.イオン化効率及び仕事関数に及ぼす導入ガスの影響" 日本化学会九州支部・中国四国支部合同支部大会講演要旨集. 52- (1994)
Hiroyuki Kono、Junji Nakamura、Seiji Matsui:“高温金属表面的热阳离子形成反应 III.引入气体对电离效率和功函数的影响”在日本九州分会和中国四国分会联合分会会议上的演讲日本化学会文摘 52- (1994)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Kawano,K.Ohgami,K.Funato and J.Nakamura: "Determination of the rates of both work function change and residual gas adsorption on a tungsten surface heated in a high vacuum" Vacuum(Proc.4th European Vacuum Conf.,Uppsala,June 1994). 45(in press). (1995)
H.Kawano、K.Ohgami、K.Funato 和 J.Nakamura:“在高真空中加热的钨表面上功函数变化率和残余气体吸附率的测定”真空(Proc.4th Europe Vacuum Conf.,
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Kawano,K.Ohgami,K.Funato and J.Nakamura: "Helpful effect of residual gases upon the thermal positive ion emission from metal surfaces heated in high vacua" Vacuum(Proc.4th European Vacuum Conf.,Uppsala,June 1994). 45(in press). (1995)
H.Kawano、K.Ohgami、K.Funato 和 J.Nakamura:“残余气体对高真空下加热的金属表面热正离子发射的有益影响”真空(Proc.4th 欧洲真空会议,乌普萨拉,1994 年 6 月)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Kawano,K.Ohgami,K.Funato and S.Matsui: "Relationship between the reaidual gas pressare and the lowest temperature keeping metal surfaces essentially clean in high vacua" Vacuum(Proc.4th European Vacuum Conf.,Uppsala,June 1994). 45(in press). (1995)
H.Kawano、K.Ohgami、K.Funato 和 S.Matsui:“在高真空下保持金属表面基本清洁的实际气体压力与最低温度之间的关系”真空(Proc.4th 欧洲真空会议,乌普萨拉,1994 年 6 月
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
河野博之,来山義仁,松井誠二: "高温の金属表面に於ける熱陽イオンの生成反応 I.イオン化効率に及ぼす基質金属の影響" 日本化学会九州支部・中国四国支部合同支部大会講演要旨集. 50- (1994)
Hiroyuki Kono、Yoshihito Kuruyama、Seiji Matsui:“高温金属表面的热阳离子生成反应 I. 基质金属对电离效率的影响”九州分会和中国四国分会联合分会会议演讲摘要集日本化学会.50- (1994)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
円錐角膜発症におけるマトリックス分解酵素の役割
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批准号:11771075
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:河野 博之
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依托单位:
熱陰イオン生成反応機構の解明と単色光イオンビ-ムの生成
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批准号:03640411
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1991
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负责人:河野 博之
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依托单位:
トリメチレンメタン系配位子を有する新規遷移金属クラスターの酸化還元的挙動の研究
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批准号:03750634
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1991
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负责人:河野 博之
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依托单位:
光学活性多座ホスフィンが配位した新規ルテニウムクラスター化合物の合成とその反応
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批准号:02750621
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1990
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负责人:河野 博之
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依托单位:
アルカリ・ハライドの自己表面電離機構の実験的研究
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批准号:58540262
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1983
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负责人:河野 博之
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依托单位:
熱陰イオン生成式質量分析法による電子親和力の測定
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批准号:57540250
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1982
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负责人:河野 博之
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依托单位:
アルカリ・ハライド多結晶表面から放射される熱イオンの生成反応過程の研究
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批准号:X00095----364150
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.3万
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财政年份:1978
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负责人:河野 博之
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依托单位:
塗希式表面電離型イオン源に於ける熱イオン生成反応機構の研究
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批准号:X00095----064140
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.22万
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财政年份:1975
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负责人:河野 博之
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依托单位:
表面電離によるイオン生成機構の質量分析学的研究
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批准号:X45210------5013
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.15万
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财政年份:1970
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负责人:河野 博之
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依托单位: