電子セラミクスの粒界特性の定量的評価
電子セラミクスの粒界特性の定量的評価
批准号:
06650358
负责人:
石崎 幸三
金额:
$1.15万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 --
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英文摘要
電子セラミクスには、結晶粒界および界面の特性を積極的に利用することにより、優れた特性を発現させているものが多い。チタン酸バリウムPTCRセラミクスは、結晶粒界の特性を利用する優れた電気特性を示す材料の一つである。本研究では、PTCRセラミクスの粒界特性、特に粒界界面準位の形成について定量的に明らかにすることを目的とした。PTCR特性は酸化処理により、その特性を大きく変化させる。このことは粒界界面準位形成に酸素が関連していることを示唆している。そこで異なる酸化条件で試料を酸化し、抵抗値の変化を調査した。その結果、不連続に抵抗値が上昇する酸化量の存在を確認した。これは、添加したアクセプターの価数が酸化により変化し、界面準位のエネルギー位置が変わることで説明できた。この結果をもとに現象論的PTCRモデルを提唱し、酸化とPTCR特性の関係を明らかにした。これについては、J.Am.Ceram.Soc.へ投稿した。次に、アクセプタードーパントの界面準位形成への寄与を調査するために、アクセプターのドープ量の違いによる界面準位のエネルギー位置、および準位密度を調査した。その結果、ドープ量の増加により、深い界面準位を形成することがわかった。またアクセプターのドープによる電気特性の向上は、準位密度の上昇によるものではなく、深い界面準位の形成によることを明らかにした。これは、Materials Processing and Design IIへ投稿した。焼結助剤とPTCR特性に関するコメントを、J.Am.Ceram.Soc.へ投稿した。
期刊论文(6)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
B.Huybrechts: "Proposed Phenomenological PTCR Model and Accompanying Phenomenological PTCR Chart" Journal of the American Ceramics Society. 77. 286-288 (1994)
B.Huybrechts:“提议的现象学 PTCR 模型和随附的现象学 PTCR 图”美国陶瓷学会杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
B.Huybrechts: "Grain Boundary Oxidation Rate of Semiconductive Mn-Doped BaTiO_3" Ceramic Transactions Volume 44 Materials Processing and Design. 151-160 (1994)
B.Huybrechts:“半导体锰掺杂 BaTiO_3 的晶界氧化速率”《陶瓷交易》第 44 卷材料加工和设计。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
B.Huybrechts: "Comment on “Effesct of Sintering Aids on Microstructures and PTCR Characteristics of (Sr_<0.2>Ba_<0.8>)TiO_3 Ceramics"" Journal of the American Ceramics Society. 77. 1113-1114 (1994)
B. Huybrechts:“评论“烧结助剂对 (Sr_<0.2>Ba_<0.8>)TiO_3 陶瓷的微观结构和 PTCR 特性的影响””美国陶瓷学会杂志 77. 1113-1114 (1994)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
多孔質材料における内部摩擦現象主要因の解明
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批准号:18656191
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2006
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负责人:石崎 幸三
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依托单位:
昇温脱離法による窒化ケイ素粉体表面の評価
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批准号:05650634
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1993
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负责人:石崎 幸三
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依托单位:
16H結晶構造のシリサイド金属間化合物の材料設計と開発
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批准号:04239214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1992
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负责人:石崎 幸三
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依托单位:
熱間等方加圧(HIP)法による開気孔性、高強度金属多孔体の作製
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批准号:04650628
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1992
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负责人:石崎 幸三
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依托单位:
低温比熱測定法による窒化ケイ素の粒界相の定量化と機械的特性
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批准号:03650617
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1991
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负责人:石崎 幸三
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依托单位:
HIP相図を利用した高温超電導体の酸素HIPによる作製
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批准号:02650478
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1990
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负责人:石崎 幸三
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依托单位: