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核づけにより方位配向したTe薄膜MIS感歪素子

核づけにより方位配向したTe薄膜MIS感歪素子
通过成核定向的 Te 薄膜 MIS 应变敏感元件
批准号:
X00095----265089
负责人:
奥山 克郎
金额:
$0.29万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
财政年份:
1977
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1977 至 --
关键词:

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MIMトンネルダイオード高濃度水素ガスセンサ
  • 批准号:
    07650390
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.02万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    奥山 克郎
  • 依托单位:
MIMトンネルダイオードアンモニアガスセンサの研究
  • 批准号:
    05650323
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.15万
  • 财政年份:
    1993
  • 负责人:
    奥山 克郎
  • 依托单位:
MIMトンネルダイオード水素ガスセンサーの研究
  • 批准号:
    04650256
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.09万
  • 财政年份:
    1992
  • 负责人:
    奥山 克郎
  • 依托单位:
帯溶融法による酸化物超伝導体薄膜の単結晶化と単一接合マイクロブリッジの作成
  • 批准号:
    03210204
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1991
  • 负责人:
    奥山 克郎
  • 依托单位: