MIMトンネルダイオード水素ガスセンサーの研究
MIMトンネルダイオード水素ガスセンサーの研究
批准号:
04650256
负责人:
奥山 克郎
金额:
$1.09万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1992
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1992 至 --
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
パラジウム(Pd)薄膜に水素ガスが吸着すると仕事関数が変化する。この現象に注目し、Pd-Al_2O_3-Al MIM(Metal Insulator Metal)ダイオードを作成し、水素ガスセンサーとしての動作特性を調べた。1.MIMダイオードの作成:MIMダイオードの作成は、科研費の補助により購入した真空蒸着装置を用いて行った。ガラス基板上にアルミニウムストライプを蒸着後、空気中自然酸化により約60A^^・のAl_2O_3を形成し、対向電極としてPdを100〜500A^^・の厚さに蒸着した。素子の面積は4mm^2である。 2,水素ガスへの応答:真空中でMIMダイオードのV-1特性を測定した後、0.01Torrの水素ガスを導入したところ、電流値は時間とともに増大し、約20分で飽和して、電流変化率は500%に達した。水素ガスを排気すると、素子電流は減少し、数時間後に水素導入前のV-1特性に戻った。 3.酸素および窒素ガスへの応答:酸素または窒素ガスに対してもPd-MIMダイオードはわずかに応答したが、電流変化率は、水素ガスに比べ10分の1以下であった。 4.水素ガスセンサとしての評価:Pd-MIMダイオードは水素ガスに選択的に高感度に応答し、感度の点からは十分水素ガスセンサとして動作することがわかった。問題は、水素ガスをパージした時の応答の立ち下がり時間が長いことである。解決策としては基板にヒータを組み込み、瞬時的に加熱し、水素ガスをPdから急速排除することであろう。これを今後の課題として取組みたい。尚、研究結果の一部は、平成4年秋の応物学会、応物学会東北支部講演会で発表し、現在 Appl.Phys.Lettに投稿準備中である。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
MIMトンネルダイオード高濃度水素ガスセンサ
-
批准号:07650390
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.02万
-
财政年份:1995
-
负责人:奥山 克郎
-
依托单位:
MIMトンネルダイオードアンモニアガスセンサの研究
-
批准号:05650323
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.15万
-
财政年份:1993
-
负责人:奥山 克郎
-
依托单位:
帯溶融法による酸化物超伝導体薄膜の単結晶化と単一接合マイクロブリッジの作成
-
批准号:03210204
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:1991
-
负责人:奥山 克郎
-
依托单位:
帯溶融法による酸化物超伝薄膜の単結晶化と単一接合マイクロブリッジの作成
-
批准号:02226205
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.47万
-
财政年份:1990
-
负责人:奥山 克郎
-
依托单位:
帯溶融法による酸化物超伝導体薄膜の単結晶化とジョセフソン接合への応用
-
批准号:01644504
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.41万
-
财政年份:1989
-
负责人:奥山 克郎
-
依托单位:
核づけにより方位配向したTe薄膜MIS感歪素子
-
批准号:X00095----265089
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
-
资助金额:$0.29万
-
财政年份:1977
-
负责人:奥山 克郎
-
依托单位:
ショットキーバリアゲート型Te薄膜トランジスター
-
批准号:X00210----875149
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.15万
-
财政年份:1973
-
负责人:奥山 克郎
-
依托单位:
海外基金