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LEED(低速電子線回折)及びAuger電子分光装置を使ってのエピタキシャル成長の研究

LEED(低速電子線回折)及びAuger電子分光装置を使ってのエピタキシャル成長の研究
使用 LEED（低能电子衍射）和俄歇电子能谱进行外延生长研究
批准号：
X00095----865002
负责人：
徳高 平蔵
金额：
$0.3万
依托单位：
Tottori University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
财政年份：
1973
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1973 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-X00095----865002/
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高温超伝導Bi系バルク単結晶を用いたSーNーS及びSーIーS構造デバイスの作製
  • 批准号：
    03210222
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $2.05万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    徳高 平蔵
  • 依托单位：
    Tottori University
高温超伝導80K相Bi系単結晶基板を用いたSーNーS構造デバイスの作製とその評価
  • 批准号：
    02226222
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $2.24万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    徳高 平蔵
  • 依托单位：
    Tottori University
MBE高温超伝導薄膜の超伝導特性と各種表面分析法によるその場測定
  • 批准号：
    01644522
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1989
  • 负责人：
    徳高 平蔵
  • 依托单位：
    Tottori University
磁場偏向型LEED装置による原子層薄膜の位相制御エピタキシー
  • 批准号：
    63609513
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    1988
  • 负责人：
    徳高 平蔵
  • 依托单位：
    Tottori University