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低温下における薄膜成長機構および単結晶真空劈開面の研究

低温下における薄膜成長機構および単結晶真空劈開面の研究
低温薄膜生长机理及单晶真空解理面研究
批准号:
X00090----255008
负责人:
徳高 平蔵
金额:
$1.47万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1977
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1977 至 1978
关键词:

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高温超伝導Bi系バルク単結晶を用いたSーNーS及びSーIーS構造デバイスの作製
  • 批准号:
    03210222
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $2.05万
  • 财政年份:
    1991
  • 负责人:
    徳高 平蔵
  • 依托单位:
高温超伝導80K相Bi系単結晶基板を用いたSーNーS構造デバイスの作製とその評価
  • 批准号:
    02226222
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $2.24万
  • 财政年份:
    1990
  • 负责人:
    徳高 平蔵
  • 依托单位:
MBE高温超伝導薄膜の超伝導特性と各種表面分析法によるその場測定
  • 批准号:
    01644522
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1989
  • 负责人:
    徳高 平蔵
  • 依托单位:
磁場偏向型LEED装置による原子層薄膜の位相制御エピタキシー
  • 批准号:
    63609513
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.09万
  • 财政年份:
    1988
  • 负责人:
    徳高 平蔵
  • 依托单位: