電子線照射された半導体の異常現象
電子線照射された半導体の異常現象
电子束照射半导体的异常现象
批准号：
X43095-----85551
负责人：
和田 隆夫
金额：
$0.06万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
财政年份：
1968
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1968 至 --
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会议论文
高品質AlGaSb系混晶半導体の気相成長と不純物制御
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批准号：60122003
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项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额：$2.69万
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财政年份：1985
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负责人：和田 隆夫
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依托单位：
電子線照射された半導体の電気物性とその新しい応用
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批准号：X00080----346108
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$2.94万
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财政年份：1978
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负责人：和田 隆夫
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依托单位：
電子線照射された半導体の性質とその新しい応用
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批准号：X00090----955087
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.98万
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财政年份：1974
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负责人：和田 隆夫
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依托单位：