電子線照射された半導体の性質とその新しい応用
電子線照射された半導体の性質とその新しい応用
电子束辐照半导体的性能及其新应用
批准号：
X00090----955087
负责人：
和田 隆夫
金额：
$0.98万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1974
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1974 至 --
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
高品質AlGaSb系混晶半導体の気相成長と不純物制御
-
批准号：60122003
-
项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额：$2.69万
-
财政年份：1985
-
负责人：和田 隆夫
-
依托单位：
電子線照射された半導体の電気物性とその新しい応用
-
批准号：X00080----346108
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
-
资助金额：$2.94万
-
财政年份：1978
-
负责人：和田 隆夫
-
依托单位：
電子線照射された半導体の異常現象
-
批准号：X43095-----85551
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
-
资助金额：$0.06万
-
财政年份：1968
-
负责人：和田 隆夫
-
依托单位：