Investigation of transparent conducting materials by topotactic fluorinating reaction
Investigation of transparent conducting materials by topotactic fluorinating reaction
拓扑氟化反应透明导电材料的研究
批准号：
15H06901
负责人：
Shigematsu Kei
金额：
$1.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-08-28 至 2017-03-31
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Sr2MgMoO6－δ/KTaO3 (100)における金属的電気伝導
Sr2MgMoO6－δ/KTaO3 (100)中的金属导电性
Sr2MgMoO6－δ/KTaO3 (100)中的金属导电性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[重松 圭, 中尾 祥一郎, 近松 彰, 廣瀬 靖, 長谷川 哲也]
通讯作者：
長谷川 哲也
アモルファス半導体ZnON薄膜へのカチオン添加効果
阳离子添加对非晶半导体ZnON薄膜的影响
阳离子添加对非晶半导体ZnON薄膜的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[重松 圭, 山﨑 崇範, 中尾 祥一郎, 廣瀬 靖, 長谷川 哲也]
通讯作者：
長谷川 哲也
Amorphous ZnOxNy thin films with high electron Hall mobility exceeding 200 cm2 V-1 s-1
非晶ZnOxNy薄膜具有超过200 cm2 V-1 s-1的高电子霍尔迁移率
非晶ZnOxNy薄膜具有超过200 cm2 V-1 s-1的高电子霍尔迁移率
DOI：
10.1063/1.4973203
发表时间：
2016
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Takanori Yamazaki, Kei Shigematsu, Yasushi Hirose, Shoichiro Nakao, Isao Harayama, Daiichiro Sekiba, Tetsuya Hasegawa]
通讯作者：
Tetsuya Hasegawa
Functional exploration of thin-filmed quadruple perovskites
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批准号：20K15171
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2020
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负责人：Shigematsu Kei
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依托单位：
Thin-film synthesis of giant-tetragonal perovskites induced by orbital ordering
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批准号：17K14105
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2017
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负责人：Shigematsu Kei
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依托单位：
海外基金
