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Effects of residual stress on the properties of relaxer ferroelectric thin films prepared by CSD method on Si

Effects of residual stress on the properties of relaxer ferroelectric thin films prepared by CSD method on Si
残余应力对Si基CSD法制备弛豫铁电薄膜性能的影响
批准号：
16H07400
负责人：
Arai Takashi
金额：
$1.91万
依托单位：
Numazu National College of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-08-26 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16H07400/
关键词：
PMN-PT薄膜溶液合成応力制御誘電体強誘電体膜機能性セラミックス

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会议论文
Effect of composition on CSD-derived PMN-PT thin films on Si
成分对 CSD 衍生的 Si 上 PMN-PT 薄膜的影响
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Takashi Arai, Tomoya Ohno, Naonori Sakamoto, Naoki Wakiya, Hisao Suzuki]
通讯作者： Hisao Suzuki
Si基板上にCSD法で作製したPMN-PT薄膜の電気特性に与える電極構造の影響
Si衬底上CSD法制备PMN-PT薄膜电极结构对电性能的影响
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [新井貴司・大野智也・坂元尚紀・脇谷尚樹・松田剛・鈴木久男, 新井貴司・鈴木久男・坂元尚紀・脇谷尚樹・大野智也・松田剛]
通讯作者： 新井貴司・鈴木久男・坂元尚紀・脇谷尚樹・大野智也・松田剛
強誘電体薄膜の結晶構造と電気特性の関係
铁电薄膜晶体结构与电性能的关系
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [新井貴司, 大野智也, 坂元尚紀, 松田剛, 脇谷尚樹,鈴木久男]
通讯作者： 脇谷尚樹,鈴木久男
セラミックス薄膜の溶液法による作製
溶液法制备陶瓷薄膜
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [新井貴司・大野智也・坂元尚紀・脇谷尚樹・松田剛・鈴木久男]
通讯作者： 新井貴司・大野智也・坂元尚紀・脇谷尚樹・松田剛・鈴木久男
Efficacy and Safety of stem cell sheet transplantation in a rat model of cerebral infarction.
  • 批准号：
    20K17941
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $2.66万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    Arai Takashi
  • 依托单位：
    Tokyo Women's Medical University
Empirical examination of the mechanism of violent behavior: The influence of the implicit attitude toward violence.
国内基金
海外基金
CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
  • 批准号：
    2026JJ50456
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    谭彦妮
  • 依托单位：
    中南大学
高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    王晓丽
  • 依托单位：
    江苏海洋大学
汽车后视镜用高耐腐蚀银合金薄膜材料开发
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    林改
  • 依托单位：
    江苏城乡建设职业学院
基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
  • 批准号：
    JCZRMS202600414
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
  • 依托单位：
    中国地质大学（武汉）