Effects of residual stress on the properties of relaxer ferroelectric thin films prepared by CSD method on Si

残余应力对Si基CSD法制备弛豫铁电薄膜性能的影响

基本信息

  • 批准号:
    16H07400
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-08-26 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Effect of composition on CSD-derived PMN-PT thin films on Si
成分对 CSD 衍生的 Si 上 PMN-PT 薄膜的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takashi Arai;Tomoya Ohno;Naonori Sakamoto;Naoki Wakiya;Hisao Suzuki
  • 通讯作者:
    Hisao Suzuki
Si基板上にCSD法で作製したPMN-PT薄膜の電気特性に与える電極構造の影響
Si衬底上CSD法制备PMN-PT薄膜电极结构对电性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    新井貴司・大野智也・坂元尚紀・脇谷尚樹・松田剛・鈴木久男;新井貴司・鈴木久男・坂元尚紀・脇谷尚樹・大野智也・松田剛
  • 通讯作者:
    新井貴司・鈴木久男・坂元尚紀・脇谷尚樹・大野智也・松田剛
強誘電体薄膜の結晶構造と電気特性の関係
铁电薄膜晶体结构与电性能的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    新井貴司;大野智也;坂元尚紀;松田剛;脇谷尚樹,鈴木久男
  • 通讯作者:
    脇谷尚樹,鈴木久男
セラミックス薄膜の溶液法による作製
溶液法制备陶瓷薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    新井貴司・大野智也・坂元尚紀・脇谷尚樹・松田剛・鈴木久男
  • 通讯作者:
    新井貴司・大野智也・坂元尚紀・脇谷尚樹・松田剛・鈴木久男
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    Hishimoto Akitoyo
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Shimada Takahito & Kanemasa Yuji
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    相馬敏彦

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知道了