Development of new high-speed electronic devices using 1D quantum structures

使用一维量子结构开发新型高速电子器件

• 批准号: 17206031
• 负责人: HORIKOSHI , Yoshiji
• 金额: $ 32.28万
• 依托单位: Waseda University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17206031/
• 关键词: 分子線エピタキシー(MBE); マイグレーション・エンハンストエピタキシー(MEE); III-V族化合物半導体; 半導体ナノ構造; 弾道電子デバイス; フラーレン; MBE; MEE; バリスティック; 巨大磁気抵抗; 高周波デバイス; 選択エピタキシャル成長; ナノチャネル; 希薄磁性半導体

半導体ナノ構造を駆使することにより、素子の高速化、低消費電力化実現のための研究を進めてきた。まず分子線エピタキシャル成長法により、結晶品質、および構造精度の高いナノ構造を製作するための選択エピタキシャル成長技術の確立、さらにナノスケールの精度を持つ反応性イオンエッチング技術の確立を行った。これによって弾道電子を用いたトランジスター、磁気抵抗効果デバイス、二次元フォトニック結晶など、種々のデバイス構造を試作し、所期の特性を確認した。

通过充分利用半导体纳米结构，我们一直在研究以实现设备更快，更低的功耗。首先，我们建立了一种选择性的外延生长技术，用于通过分子束外延生长来制造具有高晶体质量和结构准确性的纳米结构，还建立了具有纳米级准确性的反应性离子蚀刻技术。这导致了各种设备结构的实验构造，例如弹道电子晶体管，磁磁性设备和二维光子晶体，并确认了所需的特性。

项目成果

学生実験「太陽電池の光照射強度依存性」

学生实验“太阳能电池的光照射强度依赖性”

• 发表时间: 2009
• 作者: 竹内登志男;佐藤道夫;西永慈郎;河原塚篤;堀越佳治
• 通讯作者: 堀越佳治

Fabrication of High-Density Nanoetchpit Array by Eiectron Beam LithograPhy Using Alkylsilane Monolayer Resist

使用烷基硅烷单层抗蚀剂通过电子束光刻技术制造高密度纳米蚀刻坑阵列

• 发表时间: 2007
• 作者: 吉田直人;鈴木遼太郎;河原塚篤;堀越佳冶;吉崎 忠;市村 洋介;西永 慈郎;西永 慈郎;Y. Horikoshi;Y. Horikoshi;J. Nishinaga;A. Kawaharazuka;竹内 史和;小松崎 優治;大西 潤哉;河原 塚篤;原田 亮平;長井 健一郎;T. Watanabe;I. Ohdomari;I. Ohdomari;T. Watanabe;H. Yamamoto;T. Miyake;R. Akahori;M. Nakamoto
• 通讯作者: M. Nakamoto

General Kinetic Theory for Thermal Oxidation of Silicon

硅热氧化的一般动力学理论

• 发表时间: 2007
• 作者: T.Watanabe;I.Ohdomari
• 通讯作者: I.Ohdomari

nm-scale modification of solid surfaces for novel function creation

纳米级固体表面修饰以创造新功能

• 发表时间: 2007
• 作者: T.Shinada;I.Ohdomari;C.L.Ringor,K.Miyazawa and T.Awane;I.Ohdomari
• 通讯作者: I.Ohdomari

RF-MBE法によるBe,Mg空間分離ドープp型GaNの成長

RF-MBE 法生长 Be、Mg 空间分离掺杂 p 型 GaN

• 发表时间: 2007
• 作者: 長井 健一郎;堀越 佳治
• 通讯作者: 堀越 佳治