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High-performance and functional optoelectronic devices of atomically thin transition metal dichalcogenides
原子薄过渡金属二硫属化物的高性能和功能光电器件
基本信息
- 批准号：17H06736
- 负责人：
- 金额：$ 1.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-08-25 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（32）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
有機モット絶縁体κ-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Clにおける非フェルミ液体的挙動とそのドーピング非対称性
有机莫特绝缘体κ-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Cl中的非费米液体行为及其掺杂不对称性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川椙義高;関和弘;蒲江;竹延大志;柚木清司;山本浩史;加藤礼三
- 通讯作者：加藤礼三
Chemical hole doping into large-area transition metal dichalcogenide monolayers using boron-based oxidant
- DOI：10.7567/jjap.57.02cb15
- 发表时间：2018-01
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：H. Matsuoka;Kaito Kanahashi;N. Tanaka;Yoshiaki Shoji;Lain‐Jong Li;J. Pu;Hiroshi Ito;H. Ohta;T. Fukushima;T. Takenobu
- 通讯作者：H. Matsuoka;Kaito Kanahashi;N. Tanaka;Yoshiaki Shoji;Lain‐Jong Li;J. Pu;Hiroshi Ito;H. Ohta;T. Fukushima;T. Takenobu
Exciton polarizability and renormalization effects for optical modulation in monolayer semiconductors
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- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Jiang Pu;Keichiro Matsuki;Leiqiang Chu;Yu Kobayashi;Shogo Sasaki;Yasumitsu Miyata;Goki Eda;Taishi Takenobu
- 通讯作者：Taishi Takenobu
単層MoS2/WSe2面内ヘテロ接合発光ダイオード
单层MoS2/WSe2面内异质结发光二极管
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：蒲江;Ming-Yang Li;Jing-Kai Huang;宮内雄平;松田一成;Lain-Jong Li;竹延大志
- 通讯作者：竹延大志
大面積MoS2単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移
大面积 MoS2 单层薄膜中电场诱导的金属-绝缘体转变
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：蒲江;山田知之;Lain-Jong Li;松田達磨;蓬田陽平;柳和宏;伊東裕;竹延大志
- 通讯作者：竹延大志
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