Establishment of inverter surge insulation and evaluation technology in next generation power electronic devices and equipment

下一代电力电子器件及设备中逆变浪涌隔离及评估技术的建立

基本信息

  • 批准号:
    18206029
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 25.21万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

A package method using gas insulated medium is proposed for power semiconductor devices in the high temperature range to 450 degree C and high voltage (1.2kV) region. Experiments were performed on discharge inception properties by changing kind and pressure of gas medium, and a prototype package was made. In addition, SiC inverter was developed so as to succeed in driving a motor. The inverter was installed in an electric vehicle system with 600W class. Furthermore, a partial discharge measuring system for inverter surge was constructed using optical and electromagnetic detection sensors. It was found that relative humidity gives the most significant effect on partial discharge inception voltage.
提出了一种适用于450 ℃以下高温高压(1.2kV)功率半导体器件的气体绝缘介质封装方法。通过改变气体介质的种类和压力,对放电起始特性进行了实验研究,并制作了样机。此外,还开发了SiC逆变器,以便成功地驱动电机。该逆变器安装在600 W级电动汽车系统中。在此基础上,利用光学和电磁检测传感器构建了逆变器浪涌局部放电检测系统。结果发现,相对湿度给局部放电起始电压的最显着的影响。

项目成果

期刊论文数量(44)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Comparison of Electromagnetic Wave, Light Intensity and Electric Charge of PD on Crossed Magnet Wires under Repetitive Impulses
重复脉冲下交叉磁线上局部放电的电磁波、光强和电荷比较
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Okada;K. Fukunaga;K. Yamaguchi;S. Ohtsuka;K. Kimura;M. Hikta
  • 通讯作者:
    M. Hikta
インダクタンス負荷におけるSic-VJFETのスイッチング特性に及ぼすゲート抵抗の影響
电感负载下栅极电阻对Sic-VJFET开关特性的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉永啓祐;プーンヤケットソムパッタナー;牧健太郎;原田克彦;大塚信也;匹田政幸
  • 通讯作者:
    匹田政幸
繰返しインパルス電圧下のエナメル線クロス試料における発光像によるPD発生数の検討
使用重复脉冲电压下漆包线布样品的发光图像检查局部放电发生次数
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岡田 真一;福永 顕一;山口 浩平;大塚 信也;匹田 政幸
  • 通讯作者:
    匹田 政幸
Switching Characteristics of SiC-VJFET for Inductive Load
感性负载用 SiC-VJFET 的开关特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Kikuchi;K. Yoshinaga;K. Harada;S. Ohtsuka;M. Hikita
  • 通讯作者:
    M. Hikita
繰返し両極性インパルス電圧下でのPDIVプリストレス効果
重复双极冲击电压下的PDIV预应力效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福永 顕一;岡田 真一;山口 浩平;大塚 信也;匹田 政幸
  • 通讯作者:
    匹田 政幸
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    14350147
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 25.21万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 资助金额:
    $ 25.21万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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    07405013
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 25.21万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

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  • 资助金额:
    $ 25.21万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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