Nearly Localized f Electron and Quantum Phenomena

电子和量子现象的近局域化

• 批准号: 19204034
• 负责人: AOKI Haruyoshi
• 金额: $ 30.04万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19204034/
• 关键词: 強相関系; 低温物性; dHvA効果; f電子化合物; 強相関係

The interesting phenomena of the strongly correlated f electron system arise from the nearly localized nature of the f electron on the border between itinerant and localized. By applying chemical pressure or by alloying, we have varied successfully the nature of the f electron to a large extent in a number of typical strongly correlated f electron compounds. We have also revealed the changes in the physical and electronic properties associated with the change in the f electron nature by using the de Haas . van Alphen effect as a main experimental tool.

强关联f电子系统的有趣现象源于f电子在巡游和定域边界上的近定域性质。通过施加化学压力或合金化，我们已经成功地改变了f电子的性质，在很大程度上在一些典型的强关联f电子化合物。我们还揭示了物理和电子性质的变化与f电子性质的变化，通过使用的de哈斯。以货车阿尔芬效应为主要实验工具。

项目成果

CeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2のf電子状態の遍歴・局在-化学的圧力を用いたdHvA効果による研究II

CeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2 中 f 电子态的行程和局域化 - 利用化学压力研究 dHvA 效应 II

• 发表时间: 2010
• 作者: 松本裕司;他
• 通讯作者: 他

CeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2のf電子状態の遍歴・局在-化学的圧力を用いたdHvA効果による研究

CeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2 中 f 电子态的行程和局域化 - 利用化学压力研究 dHvA 效应

• 发表时间: 2009
• 作者: 松本裕司;他
• 通讯作者: 他

Electron spin resonance of the itinerant magnets ZrZn2 and Nb1−yFe2+y: A comparison

流动磁体 ZrZn2 和 Nb1−yFe2+y 的电子自旋共振：比较

• DOI: 10.1088/1742-6596/200/1/012035
• 发表时间: 2010
• 期刊: Journal of Physics: Conference Series
• 作者: T. Förster;J. Sichelschmidt;D. Grüner;M. Brando;N. Kimura;F. Steglich
• 通讯作者: F. Steglich

Pr_x La_<1-x> Pb_3における四極子秩序とdHvA効果III

Pr_x La_<1-x> Pb_3 III 中的四极级数和 dHvA 效应

• 发表时间: 2009
• 作者: 一色俊之;他
• 通讯作者: 他

CeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2のf電子状態の遍歴・局在-化学的圧力を用いたdHvA効果による研究III

CeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2 中 f 电子态的行程和局域化 - 利用化学压力研究 dHvA 效应 III

• 发表时间: 2010
• 作者: 松本裕司;他
• 通讯作者: 他