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ウランを含んだSn化合物のf電子に起因する低温物性異常

含铀Sn化合物中f电子引起的低温物性异常

基本信息

批准号：
05740236
负责人：
青木勇二
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Tokyo Metropolitan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

実験装置の整備として、購入したデジタルマルチメータを用いた交流磁化率測定装置を作成した。これにより、ウラン化合物の1k以下の温度領域での磁気測定を可能とした。まず、ウランを含む化合物としてU_3Rh_4Sn_<13>およびU_5Ru_6Sn_<18>を中心に低温物性を調べた。U_3Rh_4Sn_<13>は18Kにおいて反強磁性移転を示すが、ホール効果の測定により、この温度でフェルミ面の再構成と考えられるノーマルホール係数の変化が見られた。U_5Ru_6Sn_<18>は、0.25Kで8Tの磁場をかけることにより、抵抗が2.5倍になる非常に大きな磁気抵抗が観測されたが、ウランの5f電子の磁気モーメントによる伝導電子の散乱に起因していると考えられる。低温比熱に見られる0.7K程度のギャップは、6Tの磁場で0.3Kに抑えられ、電子比熱係数はgammaは220mJ/K^2mol-Uから、その約半分になることがわかった。ギャップ形成のメカニズム解明のためには今後の研究が必要である。ウランを希士類元素で置換した系の物性測定も行った。同じウラン化合物である(U_xY_<1-x>)Pd_3で、新しいタイプの基底状態をもたらす四重極近藤効果の可能性が報告され、この系での研究の重要性が高まってきたため、この系の低温物性研究にさらに発展した。(U_xY_<1-x>)Pd_3のx<0.2の濃度領域に的を絞り、熱、磁気、輸送効果の測定を行った。その結果、(U_xY_<1-x>)Pd_3のウラン当たりの磁化率の温度依存は、結晶場効果で説明できるが、非常に大きな分子場パラメータlambdaを導入する必要があることがわかった。またこの分子場は、ウラン濃度xの減少とともに近藤温度T_Kと同様に増大することから、分子場は四重極近藤効果と密接に関連していることを明らかにした。これらの結果は、今年度内の論文発表には間に合わなかったが、平成6年度の国際会議The Intermational Conference on Strongly Correlated Electron Systems(8月、オランダ)及びInternational Conference on Magnetism(8月、ポーランド)で報告する予定である。また、本研究の副産物として、上記の交流磁化率測定装置を用いて、低温で複雑な磁気転移を示すNdGa_2の磁場-温度の磁気相図を決定した。この結果も上述の国際会議で報告する予定である。

The equipment is equipped with the equipment, and the equipment is built with the AC magnetic susceptibility measuring device. The temperature field of the compound is below 1k, and the magnetic field is less than 1k. The chemical compound U _ 3RhSi _ 4SnO _ ltterter13gt; U _ 5Ruth6SnO _ lttere18gt; the low-temperature physical properties of the center. U3Rh4Snalloy LTX 13gt; 18K magnetism reverse magnetic shift display, temperature measurement, temperature measurement and so on. U5Ruo6Snalloy LTX 18gt; 0.25K

项目成果

期刊论文数量（3）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

H.Sato,T.Fukuhara,Y.Aoki,S.Takayanagi,Y.Onuki & N.Wada: "Synthesis and Physical Property Measurements of U_xT_ySn_z" Japanese Journal of Applied Physics. Series8. 29-31 (1993)

H.佐藤、T.福原、Y.青木、S.高柳、Y.大贯

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Y.Aoki,H.Sato,T.Fukuhara,S.Takayanagi,Y.Onuki & N.wada: "Transport and Thermal properties of U_3Rh_4Sn_<13> and U_5Ru_6Sn_<18>" Physica B. 186-188. 738-740 (1993)

Y.青木、H.佐藤、T.福原、S.高柳、Y.大贯

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

H.Sato,T.Fukuhara,S.Iwakawa,Y.Aoki,I.Sakamoto,S.Takayanagi,N.wada: "Magnetic and transport properties of RE^3Ir^4Sn^3" Physica B. 186-188. 630-632 (1993)

H.Sato、T.Fukuhara、S.Iwakawa、Y.Aoki、I.Sakamoto、S.Takayanagi、N.wada：“RE^3Ir^4Sn^3 的磁性和传输特性”Physica B. 186-188。

DOI：
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影响因子：
0
作者：
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DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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发表时间：
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影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎
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0
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H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛;齎藤隆志;菊地大輔;戸田静香
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2008
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H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔
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H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛;齎藤隆志;菊地大輔
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H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛;齎藤隆志;菊地大輔;戸田静香;池生剛;龍罔翔;Masafumi Udagawa;D.Tahara;H.Seo;K.Matsuda;D.Phelan;Y.Horibe
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Y.Horibe