Control of quantum interference in semiconductor quantum systems

半导体量子系统中量子干涉的控制

• 批准号: 21810006
• 负责人: HASHISAKA Masayuki
• 金额: $ 1.78万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21810006/
• 关键词: メゾスコピック系; 量子エレクトロニクス; 量子細線; マイクロ・ナノデバイス; 物性実験; 半導体2次元電子系; 量子ホール効果; エッジマグネトプラズモン; マイクロ波; ショット雑音; 量子干渉; 極低温; エッジマグネトプラズモシ

The purpose of this research is to observe and control the high-frequency response of semiconductor quantum systems. We focused on transport characteristics of edge-magnetoplasmons (EMPs) in quantum Hall systems, which are charge-density waves traveling along the edge channels. We investigated transmission characteristics of EMPs through quantum point contacts and EMP-cavities and developed some techniques to observe and control the interference of EMPs.

本研究的目的是观察和控制半导体量子系统的高频响应。研究了量子霍尔系统中边缘磁等离子体激元（EMP）的输运特性，EMP是沿着边缘通道传播的电荷密度波。我们研究了电磁脉冲通过量子点接触和电磁脉冲腔的传输特性，并发展了一些观测和控制电磁脉冲干涉的技术。

项目成果

Admittance Measurement for a Quantum Point Contact in a Multi-terminal Quantum Hall Device

多端量子霍尔器件中量子点接触的导纳测量

• 发表时间: 2011
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 50巻
• 作者: K.Washio;M.Hashisaka;H.Kamata;K.Muraki;T.Fujisawa
• 通讯作者: T.Fujisawa

Interferometric Detection of Edge Magnetoplasmons in AlGaAs/GaAs Heterostructures

AlGaAs/GaAs 异质结构中边缘磁等离子体的干涉检测

• 发表时间: 2010
• 作者: M.Hashisaka;K.Washio;H.Kamata;K.Muraki;T.Fujisawa
• 通讯作者: T.Fujisawa

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量子ホール領域における量子ポイントコンタクトの高周波アドミッタンス測定

量子空穴区量子点接触的高频导纳测量

• 发表时间: 2011
• 作者: 鷲尾和久;橋坂昌幸;鎌田大;村田竜二;村木康二;藤澤利正
• 通讯作者: 藤澤利正

Interferometric detection of edge magnetoplasmons in A1GaAs/GaAs heterostructures

A1GaAs/GaAs 异质结构中边缘磁等离子的干涉检测

• 发表时间: 2011
• 期刊: Physica Status Solidi (C)
• 作者: M.Hashisaka;K.Washio;H.Kamata;K.Muraki;T.Fujisawa
• 通讯作者: T.Fujisawa