Meta-photonic Device~Possibility of Permeability Control in Semiconductor-based Photonic Device Combined with Metamaterial~

超光子器件~基于半导体的光子器件结合超材料进行磁导率控制的可能性~

• 批准号: 21860031
• 负责人: AMEMIYA Tomohiro
• 金额: $ 1.63万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21860031/
• 关键词: 光集積; メタマテリアル; 化合物半導体; 微細共振器

We demonstrated InP-based optical multi-mode interferometers (MMI) combined with metamaterials. The MMI operated at optical-communication wavelength, 1.5-μm. The metamaterial consisted of minute split-ring resonators (SRRs) arrayed on the MMI. Magnetic resonance established between the SRR metamaterial and light at 1.5 μm, and the relative permeability of the metamaterial increased to 2.4 around this wavelength. Our results show the feasibility of semiconductor-based photonic devices combined with metamaterials. This would be useful in the development of novel optical-communication devices.

我们展示了基于InP的光学多模干涉仪（MMI）与超材料相结合。MMI工作波长为1.5 μm。超材料由排列在MMI上的微小开口环谐振器（SRR）组成。在1.5 μm处，SRR超材料与光之间建立了磁共振，并且超材料的相对磁导率在该波长附近增加到2.4。我们的研究结果表明，基于光子晶体器件结合超材料的可行性。这将有助于开发新型光通信设备。

项目成果

a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ

1550nm波长横向电流注入DFB激光器，带a-Si表面光栅

• 发表时间: 2010
• 作者: 進藤隆彦;奥村忠嗣;伊藤瞳;小口貴之;高橋大佑;渥美裕樹;カン ジュンヒョン;長部亮;雨宮智宏;西山伸彦;荒井滋久
• 通讯作者: 荒井滋久

Lateral Junction Waveguide-Type Photodiode Grown on Semi-Insulating InP Substrate

• DOI: 10.1143/jjap.50.020206
• 发表时间: 2011-02
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: T. Okumura;Daisuke Kondo;H. Ito;Seunghun Lee;T. Amemiya;N. Nishiyama;S. Arai

Lateral Junction Waveguide Type Photodiode for Membrane Photonic Circuits

用于膜光子电路的横向结波导型光电二极管

• 发表时间: 2010
• 作者: D.Kondo;T.Okumura;H.Ito;S.H.Lee;T.Amemiya;N.Nishiyama.;S.Arai
• 通讯作者: S.Arai

III-V化合物半導体のキャリアを用いたメタマテリアルの共振周波数変化

使用III-V族化合物半导体载流子的超材料谐振频率变化

• 发表时间: 2011
• 作者: 高橋俊;新井紀夫;佐々木大輔;中橋和博;Tomitake Tsukihara;明賀聖慈
• 通讯作者: 明賀聖慈

メタマテリアルを有するInP導波路型デバイスにおける光周波数領域での磁気応答

超材料InP波导器件光频区磁响应

• 发表时间: 2010
• 作者: K.Kan;J.Yang;A.Ogata;T.Kondoh;K.Norizawa;Y.Yoshida;雨宮智宏
• 通讯作者: 雨宮智宏