Investigation of growth dynamics of faceted grain/grain/melt grain boundary junction during directional solidification of Si

硅定向凝固过程中多面晶粒/晶粒/熔体晶界连接处的生长动力学研究

基本信息

  • 批准号:
    21K20343
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-08-30 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Small-angle grain boundaries as sinks for lattice dislocations during directional solidification of silicon
小角度晶界作为硅定向凝固过程中晶格位错的汇
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    荘 履中;前田 健作;野澤 純;森戸 春彦;藤原 航三
  • 通讯作者:
    藤原 航三
Dislocation generation from small-angle grain boundaries during directional solidification of multicrystalline silicon
多晶硅定向凝固过程中小角度晶界位错的产生
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Lu-Chung Chuang;Kensaku Maeda;Haruhiko Morito;Kozo Fujiwara
  • 通讯作者:
    Kozo Fujiwara
In situ observation of solidification and subsequent evolution of Ni-Si eutectics
镍硅共晶凝固和后续演化的原位观察
  • DOI:
    10.1016/j.scriptamat.2022.114513
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6
  • 作者:
    Chuang Lu-Chung;Maeda Kensaku;Morito Haruhiko;Fujiwara Kozo
  • 通讯作者:
    Fujiwara Kozo
Small-angle grain boundaries as sources of generation and absorption of dislocations during directional solidification of multicrystalline silicon
小角度晶界作为多晶硅定向凝固过程中位错产生和吸收的来源
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    荘 履中;前田 健作;野澤 純; 森戸 春彦;藤原 航三
  • 通讯作者:
    藤原 航三
Decomposition of small-angle grain boundaries during directional solidification of multicrystalline silicon
多晶硅定向凝固过程中小角度晶界的分解
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Lu-Chung Chuang;Kensaku Maeda;Haruhiko Morito;Kozo Fujiwara
  • 通讯作者:
    Kozo Fujiwara
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  • 作者:
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Chuang Lu-Chung其他文献

Influence of interfacial structure on propagating direction of small-angle grain boundaries during directional solidification of multicrystalline silicon
多晶硅定向凝固过程中界面结构对小角度晶界扩展方向的影响
  • DOI:
    10.1016/j.scriptamat.2019.07.018
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6
  • 作者:
    Chuang Lu-Chung;Kiguchi Takanori;Kodama Yumiko;Maeda Kensaku;Shiga Keiji;Morito Haruhiko;Fujiwara Kozo
  • 通讯作者:
    Fujiwara Kozo
Difference in growth rates at {1 1 0} and {1 1 1} crystal/melt interfaces of silicon
硅的{1 1 0}和{1 1 1}晶体/熔体界面处的生长速率差异
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2022.126784
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Mishra Shashank Shekhar;Chuang Lu-Chung;Maeda Kensaku;Nozawa Jun;Morito Haruhiko;Fujiwara Kozo
  • 通讯作者:
    Fujiwara Kozo

Chuang Lu-Chung的其他文献

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  • 发表时间:
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    $ 1.91万
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