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Elucidation of defects at SiC/SiO2 interfaces by electrical and spectroscopic measurements
通过电学和光谱测量阐明 SiC/SiO2 界面的缺陷
基本信息
- 批准号：21K20429
- 负责人：
- 金额：$ 2万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2021
- 资助国家：日本
- 起止时间：2021-08-30 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（16）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices
氮化 SiC MOS 器件的可靠性问题
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kobayashi;T. Nakanuma;A. Suzuki;M. Sometani;M. Okamoto;A. Yoshigoe;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe
- 通讯作者：H. Watanabe
NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価
NO氮化处理4H-SiC(11-20) MOS器件的绝缘性能和阈值稳定性评价
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中沼 貴澄;岩片 悠;小林 拓真;染谷 満;岡本 光央;吉越 章隆;細井 卓治;志村 考功;渡部 平司
- 通讯作者：渡部 平司
Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(11-20) MOS devices
氮化对4H-SiC(11-20) MOS器件可靠性的影响
- DOI：10.35848/1882-0786/ac5ace
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：T. Nakanuma;T. Kobayashi;T. Hosoi;M. Sometani;M. Okamoto;A. Yoshigoe;T. Shimura and H. Watanabe
- 通讯作者：T. Shimura and H. Watanabe
Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination
准分子紫外光照射导致 NO 氮化 SiC MOS 器件的退化
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Fujimoto;T. Kobayashi;M. Sometani;M. Okamoto;T. Shimura;H. Watanabe
- 通讯作者：H. Watanabe
NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響
准分子紫外光照射对NO氮化物SiO2/SiC(11-20)界面的影响
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：藤本 博貴;小林 拓真;染谷 満;岡本 光央;志村 考功;渡部 平司
- 通讯作者：渡部 平司
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Kobayashi Takuma其他文献
Regional adaptivity of electrochromic glazing in Japan and operational improvement in energy saving using machine learning
日本电致变色玻璃的区域适应性以及利用机器学习改进节能操作
- DOI：
10.1002/2475-8876.12272 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0.9
- 作者：
Kobayashi Takuma;Hiyama Kyosuke;Omodaka Yuichi;Oura Yutaka;Asaoka Yukiyasu - 通讯作者：
Asaoka Yukiyasu
銀ナノ粒子のプログラム細胞死の解明
使用银纳米粒子阐明程序性细胞死亡
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kobayashi Takuma;Toyoda Takeshi;Tajima Yuya;Kishimoto Shinji;Tsunematsu Yuta;Sato Michio;Matsushita Kohei;Yamada Takanori;Shimamura Yuko;Masuda Shuichi;Ochiai Masako;Ogawa Kumiko;Watanabe Kenji;Takamura-Enya Takeji;Totsuka Yukari;Wakabayashi Keiji;Miyoshi;宮山貴光 - 通讯作者：
宮山貴光
Cytotoxic Homo- and Hetero-Dimers of o-toluidine, o-anisidine, and Aniline Formed by In Vitro Metabolism
体外代谢形成的邻甲苯胺、邻茴香胺和苯胺的细胞毒性同二聚体和异二聚体
- DOI：
10.1021/acs.chemrestox.2c00226 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：
Kobayashi Takuma;Kishimoto Shinji;Watanabe Shogo;Yoshioka Yasukiyo;Toyoda Takeshi;Ogawa Kumiko;Watanabe Kenji;Totsuka Yukari;Wakabayashi Keiji;Miyoshi Noriyuki - 通讯作者：
Miyoshi Noriyuki
Formation of high-quality SiC(0001)/SiO2 structures by excluding oxidation process with H2 etching before SiO2 deposition and high-temperature N2 annealing
通过在 SiO2 沉积和高温 N2 退火之前排除使用 H2 蚀刻的氧化工艺，形成高质量的 SiC(0001)/SiO2 结构
- DOI：
10.35848/1882-0786/abc6ed - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Tachiki Keita;Kaneko Mitsuaki;Kobayashi Takuma;Kimoto Tsunenobu - 通讯作者：
Kimoto Tsunenobu
Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO2/4H-SiC(1120) interfaces
NO 氮化 SiO2/4H-SiC(1120) 界面的综合物理和电学表征
- DOI：
10.35848/1347-4065/ac4685 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Nakanuma Takato;Iwakata Yu;Watanabe Arisa;Hosoi Takuji;Kobayashi Takuma;Sometani Mitsuru;Okamoto Mitsuo;Yoshigoe Akitaka;Shimura Takayoshi;Watanabe Heiji - 通讯作者：
Watanabe Heiji
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