Elucidation of defects at SiC/SiO2 interfaces by electrical and spectroscopic measurements
Elucidation of defects at SiC/SiO2 interfaces by electrical and spectroscopic measurements
通过电学和光谱测量阐明 SiC/SiO2 界面的缺陷
批准号：
21K20429
负责人：
Kobayashi Takuma
金额：
$2.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-08-30 至 2023-03-31
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Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices
氮化 SiC MOS 器件的可靠性问题
氮化 SiC MOS 器件的可靠性问题
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kobayashi, T. Nakanuma, A. Suzuki, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe]
通讯作者：
H. Watanabe
NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価
NO氮化处理4H-SiC(11-20) MOS器件的绝缘性能和阈值稳定性评价
NO氮化处理4H-SiC(11-20) MOS器件的绝缘性能和阈值稳定性评价
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司]
通讯作者：
渡部 平司
Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(11-20) MOS devices
氮化对4H-SiC(11-20) MOS器件可靠性的影响
氮化对4H-SiC(11-20) MOS器件可靠性的影响
DOI：
10.35848/1882-0786/ac5ace
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[T. Nakanuma, T. Kobayashi, T. Hosoi, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura and H. Watanabe]
通讯作者：
T. Shimura and H. Watanabe
Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination
准分子紫外光照射导致 NO 氮化 SiC MOS 器件的退化
准分子紫外光照射导致 NO 氮化 SiC MOS 器件的退化
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Fujimoto, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, T. Shimura, H. Watanabe]
通讯作者：
H. Watanabe
NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響
准分子紫外光照射对NO氮化物SiO2/SiC(11-20)界面的影响
准分子紫外光照射对NO氮化物SiO2/SiC(11-20)界面的影响
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司]
通讯作者：
渡部 平司
共 16 条