Application of the inverse current induced magnetization switching phenomena for novel electronics device

逆电流感应磁化翻转现象在新型电子器件中的应用

• 批准号: 22810021
• 负责人: ISOGAMI Shinji
• 金额: $ 1.92万
• 依托单位: Fukushima National College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22810021/
• 关键词: 窒化鉄; スピン; 磁性; 電流誘起磁化反転; 磁気抵抗効果; 磁気緩和; 強磁性共鳴; スピントロニクス; インバース電流誘起磁化反転; スピントルクトランスファー; 強磁性トンネル接合膜

Inverse current induced magnetization switching phenomena is not fully understood by conventional spin torque theory showing that the spin torque direction is determined by the spin polarization of the pinned layer. It might be due to the spin polarization of the free layer as well. Using ferro-magnetic resonance technique, the damping factor of Fe4N thin film is found to be 0.007.Using the same technique, the spin pumping effect of Fe_4N system is enhanced comparing to that of Fe system. It is concluded that such the enhancement reflects the minority-spin conduction in Fe_4N film.

传统的自旋扭矩理论并未完全理解逆电流引起的磁化翻转现象，该理论表明自旋扭矩方向由固定层的自旋极化决定。这也可能是由于自由层的自旋极化造成的。利用铁磁共振技术，发现Fe4N薄膜的阻尼因子为0.007。利用相同的技术，Fe_4N体系的自旋泵浦效应比Fe体系有所增强。结论是这种增强反映了Fe_4N薄膜中的少数自旋传导。

项目成果

γ'-Fe4N強磁性電極を有する強磁性トンネル接合のインバース電流誘起磁化反転

γ-Fe4N铁磁电极的铁磁隧道结的逆电流感应磁化反转

• 发表时间: 2010
• 作者: 関本奏子;高山光男;磯上慎二,角田匡清,駒崎洋亮,佐久間昭正,高橋研
• 通讯作者: 磯上慎二,角田匡清,駒崎洋亮,佐久間昭正,高橋研

負のスピン分極率を有するγ'-Fe_4N薄膜の磁気緩和定数

负自旋极化率γ-Fe_4N薄膜的磁弛豫常数

• 发表时间: 2011
• 作者: 磯上慎二;ら
• 通讯作者: ら

Fe_4Nフリー層を有する強磁性トンネル接合のインバース電流誘起磁化反転

Fe_4N自由层铁磁隧道结的逆电流感应磁化反转

• 发表时间: 2010
• 期刊: Applied Physics Express誌(応用物理学会)
• 作者: 磯上慎二

Fe4N/MgO/CoFeB-MTJのインバース電流誘起磁化反転

Fe4N/MgO/CoFeB-MTJ 的逆电流感应磁化反转

• 发表时间: 2010
• 作者: Daisuke Naka;Rajeev Goel;Hidenari Yasui;磯上慎二,角田匡清,駒崎洋亮,佐久間昭正,高橋研
• 通讯作者: 磯上慎二,角田匡清,駒崎洋亮,佐久間昭正,高橋研

負のスピン分極率を有するFe4N薄膜の磁気緩和定数

负自旋极化率Fe4N薄膜的磁弛豫常数

• 发表时间: 2012
• 作者: Daisuke Naka;Rajeev Goel and Hidenari Yasui;磯上慎二,角田匡清,大兼幹彦,佐久間昭正,高橋研
• 通讯作者: 磯上慎二,角田匡清,大兼幹彦,佐久間昭正,高橋研