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Nitride based coherent heterostructures for efficient spin-orbit torque magnetization switching

Nitride based coherent heterostructures for efficient spin-orbit torque magnetization switching
用于高效自旋轨道扭矩磁化切换的氮化物基相干异质结构
批准号：
19K04499
负责人：
ISOGAMI Shinji
金额：
$2.75万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04499/
关键词：
窒化物磁性膜電流誘起磁化反転磁気メモリ素子マンガン窒化物薄膜磁気構造トポロジー超高効率磁化反転ノンコリニア磁気構造垂直磁気異方性スピンホール効果窒化物薄膜スピン軌道トルク高速磁化反転

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Strain mediated magnetic properties in thin Fe4N pseudo single-crystal films
Fe4N 赝单晶薄膜中应变介导的磁特性
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [I. Suzuki, T. Ohkubo, and S. Isogami]
通讯作者： and S. Isogami
Efficient current-driven magnetization switching owing to isotropic magnetism in a highly symmetric 111-oriented Mn4N epitaxial single layer
DOI： 10.1063/5.0062253
发表时间： 2021-10
期刊： AIP Advances
影响因子： 1.6
作者： [S. Isogami;N. Rajamanickam;Y. Kozuka;Y. Takahashi]
通讯作者： S. Isogami;N. Rajamanickam;Y. Kozuka;Y. Takahashi
Impact of B-doping on topological Hall resistivity in (111)- and (110)-oriented Mn4N single layers with the non-collinear spin structure
B掺杂对具有非共线自旋结构的(111)和(110)取向Mn4N单层拓扑霍尔电阻率的影响
DOI： 10.1063/5.0083042
发表时间： 2022
期刊： Journal of Applied Physics
影响因子： 3.2
作者： [Isogami Shinji, Ohtake Mitsuru, Takahashi Yukiko K.]
通讯作者： Takahashi Yukiko K.
負のスピン分極率を有する窒化鉄ヘテロ接合のスピンホール磁気抵抗効果と電流誘起スピン軌道トルク有効磁場の温度依存性
负自旋极化率氮化铁异质结中自旋霍尔磁阻效应和电流感应自旋轨道扭矩有效磁场的温度依赖性
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Isogami, Y. Shiokawa, A. Tsumita, T. Taniguchi, S. Mitani, T. Sasaki, and M. Hayashi, 磯上慎二]
通讯作者： 磯上慎二
共 18 条
    Magnetic damping control of ferromagnetic thin films with negative spin polarization and development of highly efficient spin-current generator
    • 批准号：
      24710154
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $3.0万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      ISOGAMI Shinji
    • 依托单位：
      Fukushima National College of Technology
    Application of the inverse current induced magnetization switching phenomena for novel electronics device
    • 批准号：
      22810021
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
    • 资助金额：
      $1.92万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      ISOGAMI Shinji
    • 依托单位：
      Fukushima National College of Technology
    海外基金