Nitride based coherent heterostructures for efficient spin-orbit torque magnetization switching

用于高效自旋轨道扭矩磁化切换的氮化物基相干异质结构

• 批准号: 19K04499
• 负责人: ISOGAMI Shinji
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04499/
• 关键词: 窒化物磁性膜; 電流誘起磁化反転; 磁気メモリ素子; マンガン窒化物薄膜; 磁気構造; トポロジー; 超高効率磁化反転; ノンコリニア磁気構造; 垂直磁気異方性; スピンホール効果; 窒化物薄膜; スピン軌道トルク; 高速磁化反転

项目成果

Strain mediated magnetic properties in thin Fe4N pseudo single-crystal films

Fe4N 赝单晶薄膜中应变介导的磁特性

• 发表时间: 2019
• 作者: I. Suzuki;T. Ohkubo;and S. Isogami
• 通讯作者: and S. Isogami

Efficient current-driven magnetization switching owing to isotropic magnetism in a highly symmetric 111-oriented Mn4N epitaxial single layer

• DOI: 10.1063/5.0062253
• 发表时间: 2021-10
• 期刊: AIP Advances
• 影响因子: 1.6
• 作者: S. Isogami;N. Rajamanickam;Y. Kozuka;Y. Takahashi

Impact of B-doping on topological Hall resistivity in (111)- and (110)-oriented Mn4N single layers with the non-collinear spin structure

B掺杂对具有非共线自旋结构的(111)和(110)取向Mn4N单层拓扑霍尔电阻率的影响

• DOI: 10.1063/5.0083042
• 发表时间: 2022
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: Isogami Shinji;Ohtake Mitsuru;Takahashi Yukiko K.
• 通讯作者: Takahashi Yukiko K.

負のスピン分極率を有する窒化鉄ヘテロ接合のスピンホール磁気抵抗効果と電流誘起スピン軌道トルク有効磁場の温度依存性

负自旋极化率氮化铁异质结中自旋霍尔磁阻效应和电流感应自旋轨道扭矩有效磁场的温度依赖性

• 发表时间: 2019
• 作者: S. Isogami;Y. Shiokawa;A. Tsumita;T. Taniguchi;S. Mitani;T. Sasaki;and M. Hayashi;磯上慎二
• 通讯作者: 磯上慎二

Enhanced effective damping constant in Mn based nitride compounds

提高锰基氮化物化合物的有效阻尼常数

• 发表时间: 2019
• 作者: S. Isogami;M. Ruma;Y. K. Takahashi;A. Anzai;T. Gushi;T. Komori;and T. Suemasu
• 通讯作者: and T. Suemasu