酸化物半導体へのスピン注入とスピン軌道相互作用の制御
酸化物半導体へのスピン注入とスピン軌道相互作用の制御
自旋注入氧化物半导体和自旋轨道相互作用的控制
批准号：
26889009
负责人：
塩貝 純一
金额：
$0.92万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-08-29 至 2015-03-31
中文摘要
翻译
酸化物半導体MgZnO/ZnOヘテロ界面におけるスピン軌道相互作用の電界制御を実現することで，分極不整合によって生じる高品位の2次元電子系を活用したスピン共鳴トランジスタの構築を目指すことが本研究の目的である．2014年度は高品位の酸化物2次元電子系を作製する準備段階として，まず，酸化物半導体薄膜の成長技術の確立に取り組んだ．現有のパルスレーザー堆積装置，X線回折装置及び原子間力顕微鏡を用いて，酸化物薄膜の成長とその評価を行った．それに加えて，電気二重層トランジスタを使った電界効果デバイスの作製に取り組んだ．その結果，平均面粗さ1nm以下の平坦な薄膜を得ることができた．今後，ヘテロ界面を設計し，2次元電子系の量子輸送を測定する予定である．また，電気二重層トランジスタのHall効果測定から，印加電圧に対してキャリア濃度の変調ができており，酸化物薄膜が形成する2次元電子系と組み合わせたスピン軌道相互作用の電界制御が期待できる．
英文摘要
酸化物半導体MgZnO/ZnOヘテロ界面におけるスピン軌道相互作用の電界制御を実現することで，分極不整合によって生じる高品位の2次元電子系を活用したスピン共鳴トランジスタの構築を目指すことが本研究の目的である．2014年度は高品位の酸化物2次元電子系を作製する準備段階として，まず，酸化物半導体薄膜の成長技術の確立に取り組んだ．現有のパルスレーザー堆積装置，X線回折装置及び原子間力顕微鏡を用いて，酸化物薄膜の成長とその評価を行った．それに加えて，電気二重層トランジスタを使った電界効果デバイスの作製に取り組んだ．その結果，平均面粗さ1nm以下の平坦な薄膜を得ることができた．今後，ヘテロ界面を設計し，2次元電子系の量子輸送を測定する予定である．また，電気二重層トランジスタのHall効果測定から，印加電圧に対してキャリア濃度の変調ができており，酸化物薄膜が形成する2次元電子系と組み合わせたスピン軌道相互作用の電界制御が期待できる．
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
メンブレン超格子における高効率熱電変換素子の開拓
-
批准号：23K26379
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$3.49万
-
财政年份：2024
-
负责人：塩貝 純一
-
依托单位：
メンブレン超格子における高効率熱電変換素子の開拓
-
批准号：23H01686
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$12.4万
-
财政年份：2023
-
负责人：塩貝 純一
-
依托单位：
スピンエサキダイオード構造を用いたスピントランジスタの開発
-
批准号：11J01277
-
项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额：$1.22万
-
财政年份：2011
-
负责人：塩貝 純一
-
依托单位：
海外基金
