Field effect control of correlated electron systems for a prototype of Mott FET

Mott FET 原型相关电子系统的场效应控制

• 批准号: 15H02113
• 负责人: INOUE ISAO
• 金额: $ 22.55万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15H02113/
• 关键词: チタン酸ストロンチウム; 電界効果トランジスタ; ホール効果; 近藤効果; 強誘電; 超伝導; 人工ニューロン; 人工シナプス; 強相関エレクトロニクス; モットFET; ニューロモルフィック; 酸素欠損; 酸素同位体置換; 超伝導材料・素子; 酸素同位体; 強相関系; モットロニクス; 負の静電容量; パリレン; サブスレショルドスイング; 易動度; 負性抵抗

项目成果

Universite Paris-Sud(フランス)

巴黎南大学（法国）

CIC nanoGUNE(Spain)

CIC nanoGUNE（西班牙）

Negative capacitance? 1000% enhancement of the carrier density at the surface of non-doped SrTiO3.

负%20电容%201000%%20增强%20of%20%20载流子%20密度%20at%20%20表面%20of%20非掺杂%20SrTiO3。

• 发表时间: 2015
• 作者: Schulman Alejandro;Neeraj Kumar;Ai Kitoh;Pablo Stoliar;Marcelo Rozenberg;Isao H. Inoue;I. H. Inoue;I. H. Inoue
• 通讯作者: I. H. Inoue

NEGATIVE CHARGE-COMPRESSIBILITY OF SrTiO3 FET.

SrTiO3 FET 的负电荷压缩性。

• 发表时间: 2016
• 作者: Schulman Alejandro;Neeraj Kumar;Ai Kitoh;Pablo Stoliar;Isao H. Inoue
• 通讯作者: Isao H. Inoue

Sign-changing non-monotonic voltage gain of HfO2/Parylene-C/SrTiO3 field-effect transistor due to percolative insulator to two-dimensional metal transition.

由于渗透绝缘体向二维金属过渡而导致 HfO2/Parylene-C/SrTiO3 场效应晶体管的符号变化非单调电压增益。

• DOI: 10.1063/1.4973739
• 发表时间: 2017
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Alejandro Schulman;Ai Kitoh;Pablo Stoliar;Isao H. Inoue
• 通讯作者: Isao H. Inoue