Field effect control of correlated electron systems for a prototype of Mott FET
Field effect control of correlated electron systems for a prototype of Mott FET
Mott FET 原型相关电子系统的场效应控制
批准号：
15H02113
负责人：
INOUE ISAO
金额：
$22.55万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Universite Paris-Sud(フランス)
巴黎南大学（法国）
巴黎南大学（法国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
NEGATIVE CHARGE-COMPRESSIBILITY OF SrTiO3 FET.
SrTiO3 FET 的负电荷压缩性。
SrTiO3 FET 的负电荷压缩性。
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Schulman Alejandro, Neeraj Kumar, Ai Kitoh, Pablo Stoliar, Isao H. Inoue]
通讯作者：
Isao H. Inoue
Negative capacitance? 1000% enhancement of the carrier density at the surface of non-doped SrTiO3.
负%20电容%201000%%20增强%20of%20%20载流子%20密度%20at%20%20表面%20of%20非掺杂%20SrTiO3。
负%20电容%201000%%20增强%20of%20%20载流子%20密度%20at%20%20表面%20of%20非掺杂%20SrTiO3。
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Schulman Alejandro, Neeraj Kumar, Ai Kitoh, Pablo Stoliar, Marcelo Rozenberg, Isao H. Inoue, I. H. Inoue, I. H. Inoue]
通讯作者：
I. H. Inoue
CIC nanoGUNE(Spain)
CIC nanoGUNE（西班牙）
CIC nanoGUNE（西班牙）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Coherent Epitaxy of a Ferroelectric Heterostructure on a Trilayered Buffer for Integration into Silicon
用于集成到硅中的三层缓冲器上铁电异质结构的相干外延
用于集成到硅中的三层缓冲器上铁电异质结构的相干外延
DOI：
10.1002/aelm.201500334
发表时间：
2016
期刊：
Advanced Electronic Materials
影响因子：
6.2
作者：
[H. Yamada, Y. Toyosaki, A. Sawa]
通讯作者：
A. Sawa
共 57 条
Concerted research in physics of anomalous phenomena around metal-insulator transition and development of neuromorphic devices
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批准号：18H03686
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$28.04万
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财政年份：2018
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负责人：INOUE ISAO
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依托单位：
海外基金