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Field effect control of correlated electron systems for a prototype of Mott FET
Mott FET 原型相关电子系统的场效应控制
基本信息
- 批准号：15H02113
- 负责人：
- 金额：$ 22.55万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（61）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
NEGATIVE CHARGE-COMPRESSIBILITY OF SrTiO3 FET.
SrTiO3 FET 的负电荷压缩性。
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Schulman Alejandro;Neeraj Kumar;Ai Kitoh;Pablo Stoliar;Isao H. Inoue
- 通讯作者：Isao H. Inoue
Negative capacitance? 1000% enhancement of the carrier density at the surface of non-doped SrTiO3.
负%20电容%201000%%20增强%20of%20%20载流子%20密度%20at%20%20表面%20of%20非掺杂%20SrTiO3。
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Schulman Alejandro;Neeraj Kumar;Ai Kitoh;Pablo Stoliar;Marcelo Rozenberg;Isao H. Inoue;I. H. Inoue;I. H. Inoue
- 通讯作者：I. H. Inoue
Coherent Epitaxy of a Ferroelectric Heterostructure on a Trilayered Buffer for Integration into Silicon
用于集成到硅中的三层缓冲器上铁电异质结构的相干外延
- DOI：10.1002/aelm.201500334
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：6.2
- 作者：H. Yamada;Y. Toyosaki;A. Sawa
- 通讯作者：A. Sawa
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- 资助金额：
$ 22.55万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 22.55万 - 项目类别：
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- 批准号：
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$ 22.55万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 22.55万 - 项目类别：
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- 批准号：
414321830 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 22.55万 - 项目类别：
Research Grants