LSI Design Method for Minimum Energy Operation

最低能量运行的LSI设计方法

• 批准号: 16H01713
• 负责人: Onodera Hidetoshi
• 金额: $ 26.54万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16H01713/
• 关键词: 最小エネルギー動作; 低消費電力設計; 低電圧動作; 動的電圧制御; 基板電圧制御; 消費エネルギー最小化; オンチップモニタ; 電子デバイス・機器; 省エネルギー; ディペンダブル・コンピューティング; 低消費電力技術

项目成果

Minimum Energy Point Tracking with All-Digital On-Chip Sensors

使用全数字片上传感器进行最小能量点跟踪

• 发表时间: 2018
• 期刊: ASP Journal of Low Power Electronics (JOLPE)
• 作者: Jun Shiomi;Shu Hokimoto;Tohru Ishihara;Hidetoshi Onodera
• 通讯作者: Hidetoshi Onodera

PVT^2: Process, Voltage, Temperature and Time-dependent Variability in Scaled CMOS Process

PVT^2：缩放 CMOS 工艺中的工艺、电压、温度和时间相关的变化

• 发表时间: 2018
• 作者: Murata;N.;TSUJI;K.;Kikuchi;T.;A.K.M. Mahfuzul Islam and Hidetoshi Onodera
• 通讯作者: A.K.M. Mahfuzul Islam and Hidetoshi Onodera

On-Chip Temperature Sensing using a Reconfigurable Ring Oscillator

使用可重新配置环形振荡器进行片上温度传感

• 发表时间: 2016
• 作者: Tadashi Kishimoto;Hidetoshi Onodera
• 通讯作者: Hidetoshi Onodera

A Design Method of a Cell-Based Amplifier for Body Bias Generation

一种用于产生体偏置的基于单元的放大器的设计方法

• DOI: 10.1587/transele.2018ctp0014
• 发表时间: 2019
• 期刊: IEICE Transactions on Electronics
• 影响因子: 0.5
• 作者: KOYANAGI Takuya;SHIOMI Jun;ISHIHARA Tohru;ONODERA Hidetoshi
• 通讯作者: ONODERA Hidetoshi

Circuit Techniques for Device-Circuit Interaction toward Minimum Energy Operation

器件与电路相互作用实现最低能量运行的电路技术

• DOI: 10.2197/ipsjtsldm.12.2
• 发表时间: 2019
• 期刊: IPSJ Transactions on System LSI Design Methodology
• 作者: Islam A.K.M. Mahfuzul;Onodera Hidetoshi
• 通讯作者: Onodera Hidetoshi