LSI Design Method for Minimum Energy Operation
LSI Design Method for Minimum Energy Operation
批准号:
16H01713
负责人:
Onodera Hidetoshi
金额:
$26.54万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2020-03-31
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Minimum Energy Point Tracking with All-Digital On-Chip Sensors
使用全数字片上传感器进行最小能量点跟踪
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
ASP Journal of Low Power Electronics (JOLPE)
影响因子:
--
作者:
[Jun Shiomi, Shu Hokimoto, Tohru Ishihara, Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
Hidetoshi Onodera
PVT^2: Process, Voltage, Temperature and Time-dependent Variability in Scaled CMOS Process
PVT^2:缩放 CMOS 工艺中的工艺、电压、温度和时间相关的变化
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Murata, N., TSUJI, K., Kikuchi, T., A.K.M. Mahfuzul Islam and Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
A.K.M. Mahfuzul Islam and Hidetoshi Onodera
On-Chip Temperature Sensing using a Reconfigurable Ring Oscillator
使用可重新配置环形振荡器进行片上温度传感
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Tadashi Kishimoto, Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
Hidetoshi Onodera
A Design Method of a Cell-Based Amplifier for Body Bias Generation
一种用于产生体偏置的基于单元的放大器的设计方法
DOI:
10.1587/transele.2018ctp0014
发表时间:
2019
期刊:
IEICE Transactions on Electronics
影响因子:
0.5
作者:
[KOYANAGI Takuya, SHIOMI Jun, ISHIHARA Tohru, ONODERA Hidetoshi]
通讯作者:
ONODERA Hidetoshi
Circuit Techniques for Device-Circuit Interaction toward Minimum Energy Operation
器件与电路相互作用实现最低能量运行的电路技术
DOI:
10.2197/ipsjtsldm.12.2
发表时间:
2019
期刊:
IPSJ Transactions on System LSI Design Methodology
影响因子:
--
作者:
[Islam A.K.M. Mahfuzul, Onodera Hidetoshi]
通讯作者:
Onodera Hidetoshi
共 20 条