PVT^2: Process, Voltage, Temperature and Time-dependent Variability in Scaled CMOS Process
PVT^2: Process, Voltage, Temperature and Time-dependent Variability in Scaled CMOS Process
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PVT^2：缩放 CMOS 工艺中的工艺、电压、温度和时间相关的变化
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A.K.M. Mahfuzul Islam and Hidetoshi Onodera
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Murata;N.;TSUJI;K.;Kikuchi;T.;A.K.M. Mahfuzul Islam and Hidetoshi Onodera
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超窄体全栅 Si-FinFET 中的随机电报信号噪声
影响因子：
4.9
作者：
Y.F. Lim;Y. Xiong;N. Singh;R. Yang;Y. Jiang;D. Chan;W. Loh;L. Bera;G. Lo;N. Balasubramanian;D. Kwong
通讯作者：
D. Kwong
温度对随机电报噪声引起的延迟波动影响的测量
DOI：
10.1109/icmts.2018.8383801
发表时间：
2018
期刊：
2018 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS)
影响因子：
--
作者：
A. Islam;Masashi Oka;H. Onodera
通讯作者：
H. Onodera
随机电报噪声引起的阈值电压变化下的最坏情况性能分析
DOI：
10.1109/patmos.2018.8464147
发表时间：
2018
期刊：
2018 28th International Symposium on Power and Timing Modeling, Optimization and Simulation (PATMOS)
影响因子：
--
作者：
A. Islam;H. Onodera
通讯作者：
H. Onodera
高密度 SRAM 和逻辑电路的基本阈值电压变化的影响
DOI：
10.1109/vlsit.1994.324400
发表时间：
1994
期刊：
Proceedings of 1994 VLSI Technology Symposium
影响因子：
--
作者：
D. Burnett;K. Erington;Chitra K. Subramanian;K. Baker
通讯作者：
K. Baker
使用先进 HK/MG 技术中的 32k 晶体管阵列表征随时间变化的特性
DOI：
10.1109/irps.2015.7112702
发表时间：
2015
期刊：
2015 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
P. Weckx;B. Kaczer;C. Chen;J. Franco;E. Bury;K. Chanda;J. Watt;P. Roussel;F. Catthoor;G. Groeseneken
通讯作者：
G. Groeseneken