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Fabrication of bismuth-containing narrow-bandgap semimetal-semiconductor alloys and their application to photonic devices

Fabrication of bismuth-containing narrow-bandgap semimetal-semiconductor alloys and their application to photonic devices
含铋窄带隙半金属半导体合金的制备及其在光子器件中的应用
批准号：
16H02105
负责人：
Yoshimoto Masahiro
金额：
$22.63万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16H02105/
关键词：
半導体半金属分子線エピタキシー結晶成長半金属半導体合金レーザダイオード

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发射波长为 1.1μm 的 GaAsBi 激光二极管的制造
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Yoshimoto, R. Yoshioka, H. Kuruma, H. Nishinaka]
通讯作者： H. Nishinaka
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通讯作者： 岳山恭平，鈴木耕作，長谷川将，西中浩之，吉本昌広
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发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Pallavi Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura, Hiroyuki Nishinaka,Masahiro Yoshimoto]
通讯作者： Hiroyuki Nishinaka,Masahiro Yoshimoto
共 13 条
    Research of radio-activation due to charge-exchange multi-turn beam injection with stripper foils for high intensity beam
    • 批准号：
      16K05027
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.08万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Yoshimoto Masahiro
    • 依托单位：
      Japan Atomic Energy Agency
    国内基金
    海外基金
    基于二维节点线半金属/二维半导体界面欧姆接触的高性能器件研究
    • 批准号：
      ZCLQN26A0402
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      苏童
    • 依托单位：
      中国计量大学
    非厄米奇异束缚态及拓扑半金属在太赫兹器件调控中的物理机制研究
    • 批准号：
      2026JJ50371
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      孟海瑜
    • 依托单位：
      湘潭大学
    磁性多重外尔半金属的理论计算研究
    • 批准号：
      2026JJ60106
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      刘广
    • 依托单位：
      湖南科技大学
    二维磁性体系电子态调控与二维磁性半 金属（halfmetal） 的实验探索
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      10.0万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      钟定永
    • 依托单位：
      中山大学