Detection of Meissner effect of surface-superstructure superconductivity by UHV-SQUID
Detection of Meissner effect of surface-superstructure superconductivity by UHV-SQUID
UHV-SQUID 检测表面超导超导迈斯纳效应
批准号：
16H02108
负责人：
Hasegawa Shuji
金额：
$28.12万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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表面電子状態 ―タム・ショックレー状態からトポロジカル状態―
表面电子态 - 从塔姆-肖克利态到拓扑态 -
表面电子态 - 从塔姆-肖克利态到拓扑态 -
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
固体物理
影响因子：
--
作者：
[Y. Hasegawa, H. Kim, and Y. Miyata, 細川千絵, 長谷川修司]
通讯作者：
長谷川修司
ラシュバ超伝導
拉什巴超导
拉什巴超导
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大川 真里奈, 鈴木 峻, 高瀬 慎介, 森口 周二, 寺田 賢二郎, 車谷 麻緒, 長谷川修司]
通讯作者：
長谷川修司
in situ独立4探針STMを用いたSrTiO3表面への水素照射の影響評価
使用原位独立四探针 STM 评估氢辐照对 SrTiO3 表面的影响
使用原位独立四探针 STM 评估氢辐照对 SrTiO3 表面的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[武内康範, 秋山了太, 保原麗, 一ノ倉聖, 湯川龍, 松田巌, 長谷川修司]
通讯作者：
長谷川修司
Caインターカレート2層グラフェン/SiCの構造：全反射高速陽電子回折
Ca插层双层石墨烯/SiC的结构：全内反射快正电子衍射
Ca插层双层石墨烯/SiC的结构：全内反射快正电子衍射
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[遠藤由大, 深谷有喜, 望月出海, 高山あかり, 兵頭俊夫, 長谷川修司]
通讯作者：
長谷川修司
その場電気伝導測定によるGe基板上のPb超薄膜における超伝導特性
通过原位电导率测量 Ge 基底上超薄 Pb 薄膜的超导性能
通过原位电导率测量 Ge 基底上超薄 Pb 薄膜的超导性能
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[遠山晴子, H. Huang, 中村友謙, 高山あかり, 長谷川修司]
通讯作者：
長谷川修司
共 97 条
Studies on Electronic and Spin Transport at Topological Surfaces and Edge States
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批准号：25246025
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$29.37万
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财政年份：2013
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负责人：Hasegawa Shuji
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依托单位：
海外基金