Elucidation and control of carrier recombination processes for the realization of AlGaN-based ultra-high efficiency ultraviolet light emitting devices
Elucidation and control of carrier recombination processes for the realization of AlGaN-based ultra-high efficiency ultraviolet light emitting devices
阐明和控制载流子复合过程以实现基于AlGaN的超高效率紫外发光器件
批准号：
16H02332
负责人：
Funato Mitsuru
金额：
$27.96万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2021-03-31
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First demonstration and characterization of semipolar deep ultraviolet LEDs on r-AlN
r-AlN 上半极性深紫外 LED 的首次演示和表征
r-AlN 上半极性深紫外 LED 的首次演示和表征
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Akaike, M. Funato, and Y. Kawakami]
通讯作者：
and Y. Kawakami
DOI：
10.1088/1361-6463/aba64c
发表时间：
2020-12-09
期刊：
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
影响因子：
3.4
作者：
[Amano, Hiroshi, Collazo, Ramon, Zhang, Yuewei]
通讯作者：
Zhang, Yuewei
Control of carrier recombination processes in AlGaN-based UV emitters
AlGaN 基紫外发射器中载流子复合过程的控制
AlGaN 基紫外发射器中载流子复合过程的控制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木村勇気, 香内晃, 松島 法明, M. Funato and Y. Kawakami]
通讯作者：
M. Funato and Y. Kawakami
DOI：
10.3390/cryst7050123
发表时间：
2017-05-01
期刊：
CRYSTALS
影响因子：
2.7
作者：
[Kishimoto, Katsuhiro, Funato, Mitsuru, Kawakami, Yoichi]
通讯作者：
Kawakami, Yoichi
AlGaN微細構造の二次元アレイによるブロードバンドUV発光
AlGaN 微结构二维阵列的宽带紫外发射
AlGaN 微结构二维阵列的宽带紫外发射
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Ono, M. Hata, M. Tsunekawa, K. Nozaki, H. Sumikura, M. Notomi, 片岡研，千賀岳人，船戸充，川上養一]
通讯作者：
片岡研，千賀岳人，船戸充，川上養一
共 60 条
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