In silico design, synthesis, and device fabrication of novel nitride semiconductors
In silico design, synthesis, and device fabrication of novel nitride semiconductors
新型氮化物半导体的计算机设计、合成和器件制造
批准号：
17H01318
负责人：
Oba Fumiyasu
金额：
$27.71万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
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第一原理計算による半導体物性の系統的予測と新物質探索
利用第一性原理计算系统预测半导体物理性质并寻找新材料
利用第一性原理计算系统预测半导体物理性质并寻找新材料
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐野 翔一, 福留 淳, 高田 誠, 永瀬 隆, 小林 隆史, 内藤 裕義, 大場史康]
通讯作者：
大場史康
半導体物性の理論予測とデータ駆動型新物質探索
半导体物理性质的理论预测和数据驱动的新材料搜索
半导体物理性质的理论预测和数据驱动的新材料搜索
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[L.Chen, K. Nishida, K. Dohi, D. Y.Chen, K. Murakami, Z. C. Li, N. Sekimura, 大場 史康]
通讯作者：
大場 史康
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Oba Fumiyasu]
通讯作者：
Oba Fumiyasu
DOI：
10.1103/physrevapplied.10.011001
发表时间：
2018-04
期刊：
arXiv: Materials Science
影响因子：
--
作者：
[N. Tsunoda;Y. Kumagai;Akira Takahashi;F. Oba]
通讯作者：
N. Tsunoda;Y. Kumagai;Akira Takahashi;F. Oba
ZnSnN2中の点欠陥の第一原理計算
ZnSnN2 点缺陷的第一性原理计算
ZnSnN2 点缺陷的第一性原理计算
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[角田直樹, 熊谷悠, 大場 史康]
通讯作者：
大場 史康
共 39 条
Development of a computational approach for accurate prediction of material properties and its application to the search for novel photovoltaic materials
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批准号：15H04125
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$8.07万
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财政年份：2015
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负责人：Oba Fumiyasu
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依托单位：
First-principles design and screening of photoabsorber materials for next generation photovoltaics
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批准号：26630316
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2014
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负责人：Oba Fumiyasu
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依托单位：
海外基金