Clarification of physical properties in semi-insulating SiC wafers and fabrication of complimentary junction field-effect transistors
Clarification of physical properties in semi-insulating SiC wafers and fabrication of complimentary junction field-effect transistors
阐明半绝缘 SiC 晶圆的物理特性以及互补结型场效应晶体管的制造
批准号：
18H03779
负责人：
Tsunenobu Kimoto
金额：
$28.45万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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Defect electronics in SiC for high-voltage power devices
用于高压功率器件的 SiC 电子器件缺陷
用于高压功率器件的 SiC 电子器件缺陷
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kimoto, J. Suda, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, N. Kaji, and S. Ichikawa]
通讯作者：
and S. Ichikawa
Breakdown Characteristics of Lateral PIN Diodes Fully Fabricated by Ion Implantation into HTCVD-Grown High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate
HTCVD 生长的高纯半绝缘 SiC 衬底完全离子注入横向 PIN 二极管的击穿特性
HTCVD 生长的高纯半绝缘 SiC 衬底完全离子注入横向 PIN 二极管的击穿特性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mitsuaki Kaneko, Tsibizov Alexander, Tsunenobu Kimoto, Ulrike Grossner]
通讯作者：
Ulrike Grossner
400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate
通过离子注入高纯度半绝缘 SiC 衬底制造的具有侧栅结构的常关 n 和 p-JFET 的 400℃ 运行
通过离子注入高纯度半绝缘 SiC 衬底制造的具有侧栅结构的常关 n 和 p-JFET 的 400℃ 运行
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Nakajima, M. Kaneko, and T. Kimoto]
通讯作者：
and T. Kimoto
Demonstration of conductivity modulation in SiC bipolar junction transistors with reduced base spreading resistance
具有降低基极扩展电阻的 SiC 双极结晶体管的电导率调制演示
具有降低基极扩展电阻的 SiC 双极结晶体管的电导率调制演示
DOI：
10.1109/ted.2019.2941884
发表时间：
2019
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
[S. Asada, J. Suda, and T. Kimoto]
通讯作者：
and T. Kimoto
Analytical formula for temperature dependence of resistivity in p-type 4H-SiC with wide-range doping concentrations
宽范围掺杂浓度 p 型 4H-SiC 电阻率温度依赖性的解析公式
宽范围掺杂浓度 p 型 4H-SiC 电阻率温度依赖性的解析公式
DOI：
10.7567/jjap.57.088002
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[S. Asada, J. Suda and T. Kimoto]
通讯作者：
J. Suda and T. Kimoto
共 36 条
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