Clarification of physical properties in semi-insulating SiC wafers and fabrication of complimentary junction field-effect transistors

阐明半绝缘 SiC 晶圆的物理特性以及互补结型场效应晶体管的制造

基本信息

  • 批准号：
    18H03779
  • 负责人：
    Tsunenobu Kimoto
  • 金额：
    $ 28.45万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份：
    2018
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2018-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（40）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Defect electronics in SiC for high-voltage power devices
用于高压功率器件的 SiC 电子器件缺陷
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Kimoto;J. Suda;K. Kawahara;H. Niwa;T. Okuda;N. Kaji;and S. Ichikawa
  • 通讯作者：
    and S. Ichikawa
Breakdown Characteristics of Lateral PIN Diodes Fully Fabricated by Ion Implantation into HTCVD-Grown High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate
HTCVD 生长的高纯半绝缘 SiC 衬底完全离子注入横向 PIN 二极管的击穿特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Mitsuaki Kaneko;Tsibizov Alexander;Tsunenobu Kimoto;Ulrike Grossner
  • 通讯作者：
    Ulrike Grossner
400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate
通过离子注入高纯度半绝缘 SiC 衬底制造的具有侧栅结构的常关 n 和 p-JFET 的 400℃ 运行
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Nakajima;M. Kaneko;and T. Kimoto
  • 通讯作者：
    and T. Kimoto
Demonstration of conductivity modulation in SiC bipolar junction transistors with reduced base spreading resistance
具有降低基极扩展电阻的 SiC 双极结晶体管的电导率调制演示
Analytical formula for temperature dependence of resistivity in p-type 4H-SiC with wide-range doping concentrations
宽范围掺杂浓度 p 型 4H-SiC 电阻率温度依赖性的解析公式
  • DOI：
    10.7567/jjap.57.088002
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    S. Asada;J. Suda and T. Kimoto
  • 通讯作者：
    J. Suda and T. Kimoto
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Tight-Binding Study of Size and Geometric Effects on Hole Effective Mass of Silicon Nanowires
硅纳米线空穴有效质量尺寸和几何效应的紧束缚研究
  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Naoya Morioka;Jun Suda;Hironori Yoshioka;Tsunenobu Kimoto
  • 通讯作者：
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Surface recombination velocities for polished p‐type 4H‐SiC
抛光 p 型 4H-SiC 的表面复合速度
  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Masashi Kato;Kimihiro Kohama;Hiroto Shibata;Masaya Ichimura;Tsunenobu Kimoto
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通过高反向偏压下的电容电压测量表征 SiC-SBD 中的穿通现象
  • DOI：
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    2006
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    IEICE Electron.Express Vol.3,No.16
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tsuyoshi Funaki;Shuntaro Matsuzaki;Tsunenobu Kimoto
  • 通讯作者：
    Tsunenobu Kimoto
Effects of NO Annealing on 4H-SiC MOSFETs with Deposited and Thermally Grown Oxides Fabricated on Various Crystal Faces
NO 退火对在不同晶面上制造的沉积和热生长氧化物的 4H-SiC MOSFET 的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2010
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yuichiro Nanen;Jun Suda;Tsunenobu Kimoto
  • 通讯作者：
    Tsunenobu Kimoto
Phonon frequencies of a highly strained AlN layer coherently grown on 6H-SiC (0001)
6H-SiC 上相干生长的高应变 AlN 层的声子频率 (0001)
  • DOI：
    10.1063/1.4974500
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    AIP Advances
  • 影响因子：
    1.6
  • 作者：
    Mitsuaki Kaneko;Tsunenobu Kimoto;Jun Suda
  • 通讯作者：
    Jun Suda

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  • 作者：
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  • 通讯作者：
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半绝缘衬底平面集成动态单模激光器研究
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