ラジカルの拡散が活性化させる星間塵表面での分子進化：複雑有機分子生成の鍵

真空槽中に擬似的な星間塵表面（アモルファス氷）を作製し，そこに紫外線を照射しOHラジカルを作製した。氷表面の微量なOHラジカルを光刺激脱離-共鳴多光子イオン化法を用いて検出した。OH検出量は氷の温度に依存しており，その温度依存性からOHの氷表面拡散の活性化エネルギーを世界で初め導き出した。得られた結果を分子雲環境に適用すると，氷星間塵表面全体をOHラジカルが動き回り反応を誘起する，つまり分子進化が活性化する温度領域は，およそ36 Kであることが分かった。量子化学計算の手法により，星間塵表面に存在度が高いと思われるラジカル種（OH，HCO， CH3， CH3O）と氷表面の結合エネルギーを導出した。結合エネルギーは，同じ化学種であっても氷表面の吸着サイトによって大きく異なり，氷表面における多様な振る舞いの一因になり得ることが分かった。星間塵表面で生じていると思われるOCS + HおよびPH3 + D反応の活性化エネルギーについても，氷表面では気相反応とは異なる値が得られ，氷に緩く結合した分子の反応であっても，氷表面の影響は無視できないことが分かった。独自に開発したCs+イオンピックアップ法を用い，氷表面におけるCH3OH＋OH反応の実験を行った。反応生成物として，CH3OおよびCH2OHが生成することが分かった。また，２つの生成物に対応した氷表面反応の活性化エネルギーを量子化学計算で求めた。

真空槽中に擬似的な星間塵表面（アモルファス氷）を作製し，そこに紫外線を照射しOHラジカルを作製した。氷表面の微量なOHラジカルを光刺激脱離-共鳴多光子イオン化法を用いて検出した。OH検出量は氷の温度に依存しており，その温度依存性からOHの氷表面拡散の活性化エネルギーを世界で初め導き出した。得られた結果を分子雲環境に適用すると，氷星間塵表面全体をOHラジカルが動き回り反応を誘起する，つまり分子進化が活性化する温度領域は，およそ36 Kであることが分かった。量子化学計算の手法により，星間塵表面に存在度が高いと思われるラジカル種（OH，HCO， CH3， CH3O）と氷表面の結合エネルギーを導出した。結合エネルギーは，同じ化学種であっても氷表面の吸着サイトによって大きく異なり，氷表面における多様な振る舞いの一因になり得ることが分かった。星間塵表面で生じていると思われるOCS + HおよびPH3 + D反応の活性化エネルギーについても，氷表面では気相反応とは異なる値が得られ，氷に緩く結合した分子の反応であっても，氷表面の影響は無視できないことが分かった。独自に開発したCs+イオンピックアップ法を用い，氷表面におけるCH3OH＋OH反応の実験を行った。反応生成物として，CH3OおよびCH2OHが生成することが分かった。また，２つの生成物に対応した氷表面反応の活性化エネルギーを量子化学計算で求めた。