Thin film deposition based on reducing activity of nanosiicon ballistic electron emitter

基于纳米硅弹道电子发射体活性降低的薄膜沉积

• 批准号: 24246053
• 负责人: KOSHIDA NOBUYOSHI
• 金额: $ 29.87万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24246053/
• 关键词: ナノシリコン; 弾道電子放出; 還元効果; 薄膜堆積; 薄膜デバイス; 還元; プリンティング; 薄膜素子; 電解還元; 電子・電気材料; 電子デバイス・機器; シリコンナノドット; 弾道電子; 電解還元効果; 超薄膜; 表面・界面物性

项目成果

Electronic and Optoelectronic Applications of Nanoporous Silicon

纳米多孔硅的电子和光电应用

• 作者: Gaku Yokoyama;Shinya Honda;Yoshihiro Narita;N. Koshida
• 通讯作者: N. Koshida

超並列電子線描画装置の開発

大规模并行电子束光刻系统的研制

• 发表时间: 2013
• 期刊: 金属
• 作者: 江刺正喜;池上尚克;小島明;宮口裕;西野仁;越田信義;吉田孝;室山真徳;吉田慎哉
• 通讯作者: 吉田慎哉

Deposition of Thin Si, Ge, and SiGe Films by Ballistic Hot Electron Reduction

通过弹道热电子还原沉积 Si、Ge 和 SiGe 薄膜

• 发表时间: 2014
• 作者: M. Yagi;R. Suda;A. Kojima;R. Mentek;N. Mori;J. Shirakashi and N. Koshida
• 通讯作者: J. Shirakashi and N. Koshida

In-Situ Control of Quantum Point Contacts Using Scanning Probe Microscopy Scratch Lithography

使用扫描探针显微镜划痕光刻对量子点接触进行原位控制

• 发表时间: 2012
• 作者: R. Suda;T. Ohyama;A. A. Tseng and J. Shirakashi
• 通讯作者: A. A. Tseng and J. Shirakashi

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