Thin film deposition based on reducing activity of nanosiicon ballistic electron emitter

基于纳米硅弹道电子发射体活性降低的薄膜沉积

基本信息

批准号：
24246053
负责人：
KOSHIDA NOBUYOSHI
金额：
$ 29.87万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（63）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

越田研究室ホームページ

越田实验室主页

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

In-Situ Control of Quantum Point Contacts Using Scanning Probe Microscopy Scratch Lithography

使用扫描探针显微镜划痕光刻对量子点接触进行原位控制

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
R. Suda;T. Ohyama;A. A. Tseng and J. Shirakashi
通讯作者：
A. A. Tseng and J. Shirakashi

Deposition of Thin Si, Ge, and SiGe Films by Ballistic Hot Electron Reduction

通过弹道热电子还原沉积 Si、Ge 和 SiGe 薄膜

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Yagi;R. Suda;A. Kojima;R. Mentek;N. Mori;J. Shirakashi and N. Koshida
通讯作者：
J. Shirakashi and N. Koshida

Electronic and Optoelectronic Applications of Nanoporous Silicon

纳米多孔硅的电子和光电应用

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
Gaku Yokoyama;Shinya Honda;Yoshihiro Narita;N. Koshida
通讯作者：
N. Koshida

超並列電子線描画装置の開発

大规模并行电子束光刻系统的研制

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
金属
影响因子：
0
作者：
江刺正喜;池上尚克;小島明;宮口裕;西野仁;越田信義;吉田孝;室山真徳;吉田慎哉
通讯作者：
吉田慎哉

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

KOSHIDA NOBUYOSHI其他文献

KOSHIDA NOBUYOSHI的其他文献

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

相似海外基金

Ｓｉ量子ドット集積構造による弾道電子制御と低電圧駆動高効率電子放出デバイスの創成

采用硅量子点集成结构的弹道电子控制及低压驱动高效电子发射器件的研制

批准号：
15J12494
财政年份：
2015
资助金额：
$ 29.87万
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Applications of nanosiicon ballistic emitter in liquids, gases, and solids

纳米硅弹道发射器在液体、气体和固体中的应用

批准号：
21241037
财政年份：
2009
资助金额：
$ 29.87万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

走査型トンネル顕微鏡によるバリスティックホットエレクトロンデバイスの基礎研究

利用扫描隧道显微镜进行弹道热电子器件的基础研究

批准号：
18560328
财政年份：
2006
资助金额：
$ 29.87万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Control of physical properties induced in silicon nanostructure and device applications

控制硅纳米结构和器件应用中引起的物理特性

批准号：
18063007
财政年份：
2006
资助金额：
$ 29.87万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

Observation of Electron-Wave Diffraction with Scanning Probe based on Reciprocity Principle

基于互易原理的扫描探针电子波衍射观测

批准号：
15360184
财政年份：
2003
资助金额：
$ 29.87万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)