Thin film deposition based on reducing activity of nanosiicon ballistic electron emitter
Thin film deposition based on reducing activity of nanosiicon ballistic electron emitter
基于纳米硅弹道电子发射体活性降低的薄膜沉积
批准号：
24246053
负责人：
KOSHIDA NOBUYOSHI
金额：
$29.87万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Gaku Yokoyama, Shinya Honda, Yoshihiro Narita, N. Koshida]
通讯作者：
N. Koshida
超並列電子線描画装置の開発
大规模并行电子束光刻系统的研制
大规模并行电子束光刻系统的研制
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
金属
影响因子：
--
作者：
[江刺正喜, 池上尚克, 小島明, 宮口裕, 西野仁, 越田信義, 吉田孝, 室山真徳, 吉田慎哉]
通讯作者：
吉田慎哉
Deposition of Thin Si, Ge, and SiGe Films by Ballistic Hot Electron Reduction
通过弹道热电子还原沉积 Si、Ge 和 SiGe 薄膜
通过弹道热电子还原沉积 Si、Ge 和 SiGe 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Yagi, R. Suda, A. Kojima, R. Mentek, N. Mori, J. Shirakashi and N. Koshida]
通讯作者：
J. Shirakashi and N. Koshida
In-Situ Control of Quantum Point Contacts Using Scanning Probe Microscopy Scratch Lithography
使用扫描探针显微镜划痕光刻对量子点接触进行原位控制
使用扫描探针显微镜划痕光刻对量子点接触进行原位控制
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Suda, T. Ohyama, A. A. Tseng and J. Shirakashi]
通讯作者：
A. A. Tseng and J. Shirakashi
越田研究室ホームページ
越田实验室主页
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DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
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