Dynamic micro-plasma excited AlGaN high power DUV light emitter operated at around 10W class power
Dynamic micro-plasma excited AlGaN high power DUV light emitter operated at around 10W class power
动态微等离子体激发 AlGaN 高功率 DUV 光发射器，工作功率约为 10W 级
批准号：
25249053
负责人：
Aoyagi Yoshinobu
金额：
$28.95万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Realization of conductive AlN buffer layer using spontaneous nano-size via-holes and its application to vertical AlGaN devices on Si substrate
利用自发纳米尺寸通孔实现导电AlN缓冲层及其在Si衬底上垂直AlGaN器件中的应用
利用自发纳米尺寸通孔实现导电AlN缓冲层及其在Si衬底上垂直AlGaN器件中的应用
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Daiki Kuzume, GeQi Qi, Lin Zhenglong, Jiajia Yang, Hiroaki Shigemasu, Hiroshi Kadota, Kiyoshi Nakahara, Jinglong Wu, 鹿田真一, N. Kurose]
通讯作者：
N. Kurose
深紫外発光素子
深紫外发光装置
深紫外发光装置
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Fabrication of nonlinear photonic crystal and its application to UV laser
非线性光子晶体的制备及其在紫外激光中的应用
非线性光子晶体的制备及其在紫外激光中的应用
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Aoyagi, N. Kurose and S. Inoue]
通讯作者：
N. Kurose and S. Inoue
Development of High Power, Large Area, Deep Ultraviolet Light Emitting Device using Dynamic Micro-plasma Excitation of AlGaN Multi-quantum Wells (MIPE)
利用AlGaN多量子阱动态微等离子体激发（MIPE）开发高功率、大面积、深紫外发光器件
利用AlGaN多量子阱动态微等离子体激发（MIPE）开发高功率、大面积、深紫外发光器件
DOI：
10.1541/ieejfms.134.307
发表时间：
2014
期刊：
IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials
影响因子：
--
作者：
[黒瀬範子, 青柳克信]
通讯作者：
青柳克信
Development of new type vertical deep ultra-violet light emitting Device（RefV-LED）
新型垂直深紫外发光器件（RefV-LED）的研制
新型垂直深紫外发光器件（RefV-LED）的研制
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N.Kurose, Y.Aoyagi]
通讯作者：
Y.Aoyagi
共 19 条
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